[發明專利]半導體器件和識別標簽

在審

• 申請號: 201410208442.5
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號: CN104167415A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: D·哈默施密特;B·格勒;G·霍爾韋格;T·亨德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G06K19/07
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

技術領域

本文所描述的實施例涉及半導體器件，尤其涉及包括識別標簽的半導體器件。

背景技術

有持續的需要以確定例如與庫存、產品制造、經營和相關操作相關聯的對象的身份和位置。這樣的操作為準確監視對象的位置和流動形成了挑戰。適當配置為要與諸如貨物、物品、人員或動物或者任意其它類型的移動對象的各種對象相關聯而促成位置和數據追蹤的標簽器件可以被用來監視對象的移動。一種這樣的標簽追蹤系統是電子識別系統，諸如RFID。RFID標簽出于追蹤對象的目的而被附接、連接或者以某些方式與對象相關聯，并且存儲和獲取與對象相關的信息。

與RFID標簽附接到的對象相關的任意數據或信息能夠被寫入RFID標簽的存儲器并存儲在其中。RFID標簽將被適當電磁場中的特殊讀取器所檢測，并且存儲在標簽中的信息可以在期望的情況下被讀取和改變。通常，RFID標簽器件是完全無源的，這意味著它們并不包括板載電源。這導致了小型且便攜的封裝。然而，無源標簽僅能夠在相對短范圍的距離內操作并且被用來供電并且與標簽通信的場的范圍所限制。

有源RFID標簽包括連接至標簽以增加可檢測范圍的電源。然而，由于增加了電池，RFID標簽在物理上變得更大并且更為昂貴。大型和剛性的標簽通過限制應用而降低了標簽的可用性。

發明內容

根據一個實施例，一種半導體器件包括半導體襯底，附接至該半導體襯底的電池以及附接至該半導體襯底的傳感器。該電池電連接至該傳感器并且被配置為向該傳感器提供電力。

根據另一個實施例，一種識別標簽包括半導體襯底，集成在該半導體襯底中的電池，以及集成在該半導體襯底中的傳感器。

根據另一個實施例，一種識別標簽包括被配置為存儲識別信息的存儲器、電池以及傳感器。該電池電連接至該傳感器并且被配置為向該傳感器提供電力。

通過閱讀以下詳細描述以及觀看附圖，本領域技術人員將會認識到附加的特征和優勢。

附圖說明

附圖被包括于此以提供對實施例的進一步理解并且結合在該說明書中并且構成其一部分。附圖圖示了實施例并且連同描述一起用來對實施例的原理進行解釋。其它實施例和實施例的許多預期優勢將由于它們通過參考以下詳細描述而被更好地理解而被輕易意識到。附圖中的要素并非必然相對于彼此成比例。同樣的附圖標記指定相對應的相似部分。

圖1示出了包括根據實施例的包括電池和溫度傳感器的半導體器件(A)的示意性橫截面側視圖以及傳感器區域(B)的頂視圖。

圖2示出了包括電池和沖擊傳感器的半導體器件(A)的示意性橫截面側視圖以及傳感器區域(B)的頂視圖。

圖3示出了根據實施例的射頻識別(RFID)標簽的示意性模塊。

具體實施方式

現在參考附圖對各個方面和實施例進行描述，其中同樣的附圖標記總體上始終被用來指代同樣的要素。在以下描述中，出于解釋的目的給出了多個具體細節以提供對實施例的一個或多個方面的全面理解。然而，對于本領域技術人員而言，實施例的一個或多個方面顯然可以利用較低程度的具體細節而得以實踐。在其它情況下，已知結構和要素以示意形式示出以促進實施例的一個或多個方面的描述。要理解的是，其它實施例可以被加以利用并且可以在不背離本發明范圍的情況下進行結構或邏輯的變化。應當進一步注意的是，附圖并非是依比例繪制或者不必依比例繪制。

此外，雖然可能僅關于若干種實施方式之一公開了實施例的特定特征或方面，但是如針對給定或特定應用而言所期望或有利的，這樣的特征或方面可以與其它實施方式的一個或多個其它特征或方面相結合。此外，就術語“包括”、“具有”、“帶有”或者在其詳細描述或權利要求中所使用的其它變化形式的范圍而言，這樣的術語意在以類似于術語“包含”的方式而是包含性的?？梢允褂眯g語“耦合”和“連接”連同派生詞。應當理解的是，這些術語可以被用來指示兩個要素互相協作或交互而不論它們是否處于直接的物理或電氣接觸還是它們并未直接互相接觸。而且，術語“示例性”僅意味著作為示例而并非是最佳或最優。因此，以下詳細描述并非以限制的含義被加以理解，并且本發明的范圍由所附權利要求所限定。

在特定實施例中，分層或分層堆疊可以被互相應用，或者材料可以被應用或沉積到分層上。諸如“應用”或“沉積”的任意術語意在覆蓋將分層應用于彼此之上的任意已知技術。特別地，術語“應用”或“沉積”意在覆蓋其中分層作為整體被一次性應用的技術，例如層壓技術，以及其中分層以例如濺射、電鍍、模塑、CVD等的順序方式進行沉積的技術。