[發明專利]半導體器件和識別標簽

在審

• 申請號: 201410208442.5
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號: CN104167415A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: D·哈默施密特;B·格勒;G·霍爾韋格;T·亨德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G06K19/07
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

電池，所述電池附接至所述半導體襯底；以及

傳感器，所述傳感器附接至所述半導體襯底，其中所述電池電連接至所述傳感器并且被配置為向所述傳感器供應電功率。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述傳感器包括以下的一個或多個：溫度傳感器；沖擊傳感器；加速度傳感器；輻射傳感器；和能量采集器。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述傳感器包括溫度傳感器，并且其中所述溫度傳感器包括熱電堆。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述傳感器包括以下的一個或多個：沖擊傳感器和加速度傳感器，并且其中所述沖擊傳感器或所述加速度傳感器包括可移動元件以及連接至所述可移動元件的壓電元件。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述傳感器包括輻射傳感器，并且其中所述輻射傳感器包括光電二極管。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述傳感器包括能量采集器，并且其中所述能量采集器被配置為對所述電池再充電。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述傳感器被配置為感測預定值并且檢測所述預定值何時超出或低于預定閾值。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述半導體器件被配置為記錄所述預定值何時超出或低于所述預定閾值。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體器件被配置作為識別標簽并且進一步包括存儲器以在所述存儲器中存儲識別信息。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述半導體器件被配置作為射頻識別(RFID)標簽并且進一步包括射頻收發器。

11.一種識別標簽，包括

半導體襯底；

電池，所述電池集成在所述半導體襯底中；以及

傳感器，所述傳感器集成在所述半導體襯底中。

12.根據權利要求11所述的識別標簽，進一步包括：

存儲器，所述存儲器被配置為存儲識別信息。

13.根據權利要求12所述的識別標簽，其中所述存儲器集成在所述半導體襯底中。

14.根據權利要求11所述的識別標簽，進一步包括：

微控制器，所述微控制器集成在所述半導體襯底中。

15.根據權利要求11所述的識別標簽，進一步包括：

電池監視器，所述電池監視器被配置為監視以下的一個或多個：所述電池的輸入電流、輸出電流和輸出電壓。

16.根據權利要求15所述的識別標簽，其中所述電池監視器集成在所述半導體襯底中。

17.一種識別標簽，包括：

存儲器，所述存儲器被配置為存儲識別信息；

電池；以及

傳感器，其中所述電池電連接至所述傳感器并且被配置為向所述傳感器供應電功率。

18.根據權利要求17所述的識別標簽，進一步包括：

硅襯底，其中所述存儲器、所述電池和所述傳感器集成在所述硅襯底中。

19.根據權利要求17所述的識別標簽，進一步包括：

功率管理單元，所述功率管理單元被配置為對所述電池向所述識別標簽的不同部分的電功率供應的激活與去激活進行控制。

20.根據權利要求19所述的識別標簽，其中所述功率管理單元被配置為根據所述電池的電荷狀態而對激活和去激活進行控制。

21.根據權利要求19所述的識別標簽，其中所述功率管理單元集成在所述硅襯底中。