[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和識(shí)別標(biāo)簽

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410208442.5
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN104167415A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·哈默施密特;B·格勒;G·霍爾韋格;T·亨德爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;G06K19/07
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

電池，所述電池附接至所述半導(dǎo)體襯底；以及

傳感器，所述傳感器附接至所述半導(dǎo)體襯底，其中所述電池電連接至所述傳感器并且被配置為向所述傳感器供應(yīng)電功率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述傳感器包括以下的一個(gè)或多個(gè)：溫度傳感器；沖擊傳感器；加速度傳感器；輻射傳感器；和能量采集器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述傳感器包括溫度傳感器，并且其中所述溫度傳感器包括熱電堆。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述傳感器包括以下的一個(gè)或多個(gè)：沖擊傳感器和加速度傳感器，并且其中所述沖擊傳感器或所述加速度傳感器包括可移動(dòng)元件以及連接至所述可移動(dòng)元件的壓電元件。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述傳感器包括輻射傳感器，并且其中所述輻射傳感器包括光電二極管。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述傳感器包括能量采集器，并且其中所述能量采集器被配置為對(duì)所述電池再充電。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述傳感器被配置為感測預(yù)定值并且檢測所述預(yù)定值何時(shí)超出或低于預(yù)定閾值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件被配置為記錄所述預(yù)定值何時(shí)超出或低于所述預(yù)定閾值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件被配置作為識(shí)別標(biāo)簽并且進(jìn)一步包括存儲(chǔ)器以在所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)識(shí)別信息。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件被配置作為射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽并且進(jìn)一步包括射頻收發(fā)器。

11.一種識(shí)別標(biāo)簽，包括

半導(dǎo)體襯底；

電池，所述電池集成在所述半導(dǎo)體襯底中；以及

傳感器，所述傳感器集成在所述半導(dǎo)體襯底中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的識(shí)別標(biāo)簽，進(jìn)一步包括：

存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器被配置為存儲(chǔ)識(shí)別信息。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的識(shí)別標(biāo)簽，其中所述存儲(chǔ)器集成在所述半導(dǎo)體襯底中。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的識(shí)別標(biāo)簽，進(jìn)一步包括：

微控制器，所述微控制器集成在所述半導(dǎo)體襯底中。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的識(shí)別標(biāo)簽，進(jìn)一步包括：

電池監(jiān)視器，所述電池監(jiān)視器被配置為監(jiān)視以下的一個(gè)或多個(gè)：所述電池的輸入電流、輸出電流和輸出電壓。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的識(shí)別標(biāo)簽，其中所述電池監(jiān)視器集成在所述半導(dǎo)體襯底中。

17.一種識(shí)別標(biāo)簽，包括：

存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器被配置為存儲(chǔ)識(shí)別信息；

電池；以及

傳感器，其中所述電池電連接至所述傳感器并且被配置為向所述傳感器供應(yīng)電功率。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的識(shí)別標(biāo)簽，進(jìn)一步包括：

硅襯底，其中所述存儲(chǔ)器、所述電池和所述傳感器集成在所述硅襯底中。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的識(shí)別標(biāo)簽，進(jìn)一步包括：

功率管理單元，所述功率管理單元被配置為對(duì)所述電池向所述識(shí)別標(biāo)簽的不同部分的電功率供應(yīng)的激活與去激活進(jìn)行控制。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的識(shí)別標(biāo)簽，其中所述功率管理單元被配置為根據(jù)所述電池的電荷狀態(tài)而對(duì)激活和去激活進(jìn)行控制。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的識(shí)別標(biāo)簽，其中所述功率管理單元集成在所述硅襯底中。