[發(fā)明專利]多層陶瓷電子部件、其上安裝有該部件的板及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410205632.1
• 申請日: 2014-05-15
• 公開（公告）號: CN104347270A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸祥秀;安永圭;金斗永
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232;H05K1/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);譚昌馳

本申請要求于2013年8月9日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0094838號韓國專利申請的權(quán)益，該申請的公開通過引用包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種多層陶瓷電子部件、其上安裝有該多層陶瓷電子部件的板及其制造方法。

背景技術(shù)

根據(jù)近來電子產(chǎn)品小型化的趨勢，小尺寸和高電容的多層陶瓷電子部件已經(jīng)被應(yīng)用于其中。

因此，使用各種方法讓介電層和內(nèi)電極變薄并以越來越多的數(shù)量堆疊，在這方面已經(jīng)做出很多努力。近來，介電層的厚度相對低且堆疊的層的數(shù)量增加的多層陶瓷電子組件已經(jīng)被制造。

由于這樣的介電層具有壓電性和電致伸縮性，所以當(dāng)直流(DC)或交流(AC)電壓施加于該多層陶瓷電子部件時(shí)，內(nèi)電極之間出現(xiàn)壓電現(xiàn)象，導(dǎo)致振動的發(fā)生。

振動通過多層陶瓷電子部件的外電極和焊料傳遞至其上安裝有多層陶瓷電子部件的印刷電路板，使得整個(gè)印刷電路板變成聲音反射表面以產(chǎn)生振動聲音(噪聲)。

振動聲音可具有與20Hz至20000Hz范圍內(nèi)的音頻對應(yīng)的頻率，這導(dǎo)致聽者不適。導(dǎo)致聽者不適的振動聲音被稱為聲學(xué)噪聲。

近來，由于近期的電子裝置的低噪聲設(shè)計(jì)，在多層陶瓷電子部件中產(chǎn)生的聲學(xué)噪聲會更突出，因此已經(jīng)需要研究用于有效地減小在多層陶瓷電子部件中產(chǎn)生的聲學(xué)噪聲的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一些實(shí)施例可提供一種多層陶瓷電子部件，其能夠有效地減小由于通過壓電現(xiàn)象產(chǎn)生的振動而產(chǎn)生并通過外電極和焊料傳遞到印刷電路板的聲學(xué)噪聲。

根據(jù)本公開的一些實(shí)施例，一種多層陶瓷電子部件可包括：陶瓷主體，包括多個(gè)介電層；有效層，包括形成在陶瓷主體中且被設(shè)置成交替地暴露于陶瓷主體的兩個(gè)端表面的多個(gè)第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，具有置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間的介電層；上覆蓋層，形成在有效層的上部上；下覆蓋層，形成在有效層的下部上且具有比上覆蓋層的厚度大的厚度；以及第一外電極和第二外電極，電連接到第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，第一外電極和第二外電極包括：在陶瓷主體的厚度-長度方向上的橫截面中從陶瓷主體的兩個(gè)端表面延伸到陶瓷主體的上主表面和下主表面上的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；以及第一絕緣層和第二絕緣層，形成在設(shè)置在陶瓷主體的兩個(gè)端表面上的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上。

第一外電極和第二外電極還可包括第一鍍層和第二鍍層，第一鍍層和第二鍍層被形成為覆蓋第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的設(shè)置在陶瓷主體的上主表面和下主表面上的部分以及第一絕緣層和第二絕緣層的邊緣。

第一鍍層和第二鍍層可包括：鎳(Ni)鍍層，被形成為覆蓋第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的設(shè)置在陶瓷主體的上主表面和下主表面上的部分以及第一絕緣層和第二絕緣層的邊緣；以及錫(Sn)鍍層，形成在鎳鍍層上。

第一絕緣層和第二絕緣層可由環(huán)氧阻止劑形成。

當(dāng)陶瓷主體的整個(gè)厚度的一半被定義為A，下覆蓋層的厚度被定義為B，有效層的整個(gè)厚度的一半被定義為C，以及上覆蓋層的厚度被定義為D時(shí)，有效層的中心部偏離陶瓷主體的中心部的比率((B+C)/A)可在1.065至1.764的范圍內(nèi)(1.065≤(B+C)/A≤1.764)。

上覆蓋層的厚度D與下覆蓋層的厚度B的比值(D/B)可在0.021至0.409的范圍內(nèi)(0.021≤D/B≤0.409)。

下覆蓋層的厚度B與陶瓷主體的整個(gè)厚度的一半A的比值(B/A)可在0.331至1.537的范圍內(nèi)(0.331≤B/A≤1.537)。

有效層的整個(gè)厚度的一半C與下覆蓋層的厚度B的比值(C/B)可在0.148至2.441的范圍內(nèi)(0.148≤C/B≤2.441)。

由于在施加電壓時(shí)在有效層的中心部中產(chǎn)生的應(yīng)變和在下覆蓋層中產(chǎn)生的應(yīng)變之間的差異，形成在陶瓷主體的兩個(gè)端表面上的拐點(diǎn)可形成在等于或低于陶瓷主體在厚度方向上的中心部的高度的高度。