[發(fā)明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410203140.9
• 申請日: 2014-05-14
• 公開（公告）號: CN104157541B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤亮;內(nèi)藤啟;里吉務(wù);古屋敦城
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及利用高頻電力將處理氣體等離子體化，利用該等離子體對被處理體實(shí)施蝕刻等處理的等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

在以液晶顯示裝置為代表的平板顯示器(FPD)等制造工序中，使用對玻璃基板等被處理體實(shí)施蝕刻處理的等離子體蝕刻裝置、實(shí)施成膜處理的等離子體CVD裝置等的等離子體處理裝置。

已知有在例如對平行平板型的電極供給高頻電力，利用形成于該電極間的電容耦合等離子體進(jìn)行被處理體的蝕刻的蝕刻裝置中，在上下相對設(shè)置的電極的一側(cè)連接等離子體形成用的高頻電源。在這樣的蝕刻裝置起動時，通過從高頻電源對電極供給高頻電力，在平行平板型的電極間形成等離子體。

近年來，F(xiàn)PD用的玻璃基板正在大型化，已經(jīng)有其一邊的長度超過2m的玻璃基板。伴隨這樣的被處理體的大型化，等離子體處理裝置也大型化，所使用的高頻電源也要求高輸出。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明想要解決的技術(shù)問題

隨著等離子體處理裝置的大型化，所需的高頻電力呈從數(shù)kW至數(shù)十kW增大的趨勢，對此通過高頻電源的高輸出化來應(yīng)對在技術(shù)上的困難(hurdle)和成本方面存在極限。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有能夠容易地應(yīng)對高輸出化的高頻電源的等離子體處理裝置。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的等離子體處理裝置包括：收納被處理體的處理容器；和輸出用于在上述處理容器內(nèi)生成等離子體的高頻電力的高頻電源部的等離子體處理裝置。在本發(fā)明的等離子體處理裝置中，上述高頻電源部包括；生成高頻信號的一個或多個振蕩部；基于由上述振蕩部生成的高頻信號，進(jìn)行功率放大(電力放大)得到高頻電力的多個功率放大部；將來自各功率放大部的高頻電力合成的電力合成部，其中上述多個功率放大部彼此并聯(lián)地連接到電力合成部上；以相等的路徑長度連接上述功率放大部和上述電力合成部的多個供電線；和控制上述振蕩部的第一控制部。

在本發(fā)明的等離子體處理裝置中，也可以是上述第一控制部進(jìn)行控制，使得從一個上述振蕩部對多個上述功率放大部分別送出的高頻信號為同相。在這種情況下，也可以是從一個上述振蕩部向多個上述功率放大部發(fā)送高頻信號的多個傳送路徑設(shè)置成相等的路徑長度。

在本發(fā)明的等離子體處理裝置中，也可以是上述振蕩部與上述功率放大部一一對應(yīng)地設(shè)置，上述第一控制部進(jìn)行控制，使得從多個上述振蕩部對上述多個功率放大部分別送出的高頻信號為同相。在這種情況下，也可以是從多個上述振蕩部向多個上述功率放大部分別發(fā)送高頻信號的多個傳送路徑設(shè)置成相等的路徑長度。

本發(fā)明的等離子體處理裝置，也可以是還具有控制上述第一控制部的第二控制部。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，高頻電源部包括多個功率放大部和電力合成部，所以能夠?qū)⒂筛鞴β史糯蟛糠糯蠛蟮母哳l電力在電力合成部中合成為一個高頻電力。因此，即使來自各功率放大部的輸出不變大，也能夠得到大輸出，能夠?qū)崿F(xiàn)等離子體處理裝置的大型化的應(yīng)對。

另外，在本發(fā)明的等離子體處理裝置中，具有以相等的路徑長度連接功率放大部和電力合成部的多個供電線，所以能夠?qū)⒂筛鞴β史糯蟛糠糯蠛蟮母哳l電力整理為同相地送到電力合成部。因此，在本發(fā)明的等離子體處理裝置中，能夠在電力合成部中容易地進(jìn)行向單一高頻電力的合并。

附圖說明

圖1是示意性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置的截面圖。

圖2是表示圖1的控制部的硬件結(jié)構(gòu)的框圖。

圖3是說明第一實(shí)施方式的第一高頻電源部的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖4是說明第二實(shí)施方式的第一高頻電源部的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖5是說明第三實(shí)施方式的第一高頻電源部的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖6是說明第四實(shí)施方式的第一高頻電源部的結(jié)構(gòu)的框圖。

附圖標(biāo)記說明