[發(fā)明專利]TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法及TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410202980.3
• 申請日: 2008-01-16
• 公開（公告）號: CN104181711B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井上勝;佐佐木邦彥;栗原直;久米康仁
• 申請（專利權(quán)）人: 東陽特克尼卡株式會社;夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 舒艷君,李洋

本申請是申請?zhí)枮?00880003082.8，國際申請日為2008年1月16日，發(fā)明名稱為“TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法及TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量裝置”的PCT申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及TFT液晶面板的物理性質(zhì)(physical?property)測量方法以及TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量裝置。

背景技術(shù)

以往，就TFT(薄膜晶體管)液晶面板而言，在其電路構(gòu)成方面，很難測量該TFT液晶面板中的液晶層的各種物理性質(zhì)。所以，對于液晶層中所含的雜質(zhì)離子的離子密度測量或電壓保持率等各種物理性質(zhì)的測量，通常來說是在具有TFT的實(shí)際的產(chǎn)品(TFT液晶面板)之外，另行制作不具有TFT的測試用液晶單元，使用該測試用液晶單元的材料評價來替代。

但是，利用測試用液晶單元中的各種物理性質(zhì)測量得到的測量結(jié)果當(dāng)然與作為實(shí)際產(chǎn)品的TFT液晶面板中的各種物理性質(zhì)不同。另外，還會產(chǎn)生在實(shí)際的產(chǎn)品之外另行制作測試用液晶單元的額外的成本。此外，自不用說無法測量實(shí)際的產(chǎn)品的各種物理性質(zhì)，同時也無法測量可以在實(shí)際的產(chǎn)品中產(chǎn)生的次品的各種物理性質(zhì)。

根據(jù)此種情況，作為用于測量TFT液晶面板的電壓保持率的技術(shù)，例如在日本特開2001-264805號公報(bào)中公開有如下所示的技術(shù)。

即，根據(jù)日本特開2001-264805號公報(bào)中所公開的技術(shù)，在TFT的驅(qū)動時測量液晶面板的透過光強(qiáng)度的時間變化，使用電壓-透過率特性曲線，將上述所測量出的透過光強(qiáng)度換算為電壓，求出上述電壓伴隨著上述透過光強(qiáng)度的時間變化的衰減值，求出TFT液晶面板的電壓保持率。

但是，日本特開2001-264805號公報(bào)中所公開的TFT液晶面板的電壓保持率測量方法由于是使用了光學(xué)的手法的測量方法，因此其精密度當(dāng)然要劣于利用電氣手法的測量方法。

但是，在TFT液晶面板中，在其制造過程中，在該TFT液晶面板的液晶注入口附近會不規(guī)則地產(chǎn)生在本領(lǐng)域技術(shù)人員中稱作注入口污染的不良區(qū)域。因此，希望有可以僅對TFT液晶面板中的期望的區(qū)域(像素)的液晶層進(jìn)行物理性質(zhì)測量的技術(shù)。根據(jù)此種技術(shù)，不僅可以發(fā)現(xiàn)上述注入口污染的發(fā)生區(qū)域，而且還可以發(fā)現(xiàn)該TFT液晶面板中故障等涉及的區(qū)域。

但是，尚未提出過可以測量TFT液晶面板的期望的區(qū)域(像素)的液晶層的物理性質(zhì)的技術(shù)，日本特開2001-264805號公報(bào)中所公開的技術(shù)當(dāng)然也并非此種技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于如上所述的情況而做出的，其目的在于，提供一種TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法，可以對每個期望的區(qū)域(像素)利用電氣手法精密地測量能夠作為實(shí)際的產(chǎn)品使用的TFT液晶面板的液晶層的各種物理性質(zhì)。

本發(fā)明的TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法的一個方式是TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法，其特征在于，

具有：

阻抗設(shè)定步驟，將上述TFT液晶面板中的TFT的源極-漏極間的阻抗值設(shè)定為規(guī)定值以下的值；

電壓施加步驟，對上述TFT液晶面板的液晶層施加周期性地變化的電壓；

物理性質(zhì)測量步驟，測量在利用上述電壓施加步驟施加了上述周期性地變化的電壓的上述液晶層中流過的過渡電流，測量上述液晶層的物理性質(zhì)。

另外，本發(fā)明的TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法的一個方式是TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法，其特征在于，

具有：

對上述TFT液晶面板的TFT的柵極電極施加規(guī)定值的電壓的步驟；

向上述TFT液晶面板的液晶層中寫入脈沖電壓的步驟；

檢測出寫入了上述脈沖電壓的上述液晶層的電位的變化而測量上述液晶層的電壓保持率的步驟。

另外，本發(fā)明的TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法的一個方式是TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法，其特征在于，

具有：

阻抗設(shè)定步驟，將上述TFT液晶面板中的TFT的源極-漏極間的阻抗值設(shè)定為規(guī)定值以下的值；

電壓施加步驟，對上述TFT液晶面板中的液晶層以及與該液晶層并聯(lián)電連接的輔助電容，施加周期性地變化的電壓；

物理性質(zhì)測量步驟，測量在利用上述電壓施加步驟施加了上述周期性地變化的電壓的上述液晶層中流過的過渡電流和上述輔助電容中流過的過渡電流的合成電流，測量合成了上述液晶層的特性和上述輔助電容的特性的物理性質(zhì)。

本發(fā)明的TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法的一個方式是TFT液晶面板的物理性質(zhì)測量方法，其特征在于，

具有：