[發明專利]TFT液晶面板的物理性質測量方法及TFT液晶面板的物理性質測量裝置

有效

• 申請號: 201410202980.3
• 申請日: 2008-01-16
• 公開（公告）號: CN104181711B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 井上勝;佐佐木邦彥;栗原直;久米康仁
• 申請（專利權）人: 東陽特克尼卡株式會社;夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 舒艷君,李洋

1.一種TFT液晶面板的物理性質測量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性質測量方法，其特征在于，

具有：

對所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的柵極電極(41A、410A)施加規定值的電壓的步驟(步驟S21、步驟S31)；

向所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶層(4B，400B)中寫入脈沖電壓，且將所述TFT(4A，400A)的源極電極(42A，420A)的電位保持為地電平的步驟(步驟S22、步驟S32)；

檢測出寫入了所述脈沖電壓的所述液晶層(4B，400B)的電位的變化而測量所述液晶層(4B，400B)中的電壓保持率的步驟(步驟S23、步驟S33)，

所述液晶層(4B、400B)中的液晶分子被電場驅動，該電場由利用所述TFT(4A，400A)驅動的像素電極(4D，400D)、與該像素電極(4D，400D)對應地設置的共用電極(4C、400C)形成，對所述共用電極施加脈沖電壓。

2.根據權利要求1所述的TFT液晶面板的物理性質測量方法，其特征在于，所述規定值的電壓是將所述TFT(4A，400A)中的源極-漏極間的阻抗值設定為所述TFT中的源極(42A，420A)-漏極(43A，430A)間可以通電的值的電壓。

3.一種TFT液晶面板的物理性質測量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性質測量方法，其特征在于，

具有：

對所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的柵極電極(41A、410A)施加規定值的電壓的步驟(步驟S21、步驟S31)；

向所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶層(4B，400B)及與該液晶層(4B，400B)并聯電連接的輔助電容(4E)中寫入脈沖電壓，且將所述TFT(4A，400A)的源極電極(42A，420A)的電位保持為地電平的步驟(步驟S22、步驟S32)；

檢測出寫入了所述脈沖電壓的所述液晶層(4B，400B)和所述輔助電容(4E)的合成后的電位的變化，測量所述液晶層(4B，400B)和所述輔助電容(4E)的合成后的電壓保持率的步驟(步驟S23、步驟S33)，

所述液晶層(4B、400B)中的液晶分子被電場驅動，該電場由利用所述TFT(4A，400A)驅動的像素電極(4D，400D)、與該像素電極(4D，400D)對應地設置的共用電極(4C、400C)形成，對所述共用電極施加脈沖電壓。

4.一種TFT液晶面板的物理性質測量裝置，是TFT液晶面板(4，400)的物理性質測量裝置，其特征在于，

具有：

脈沖電壓施加電路(31，310)，用于向所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶層(4B、400B)中寫入脈沖電壓，且將所述TFT(4A，400A)的源極電極(42A，420A)的電位保持為地電平；

電位變化檢測電路(31，310)，用于檢測出利用所述脈沖電壓施加電路(31，310)施加了脈沖電壓的所述液晶層(4B、400B)的電位的變化，測量所述液晶層(4B、400B)的電壓保持率；

柵極電位保持部(6A，60A，260)，用于對所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的柵極電極(41A，410A)施加規定值的電壓，

所述液晶層(4B、400B)中的液晶分子被電場驅動，該電場由利用所述TFT(4A，400A)驅動的像素電極(4D，400D)、與該像素電極(4D，400D)對應地設置的共用電極(4C、400C)形成，對所述共用電極(4C、400C)施加脈沖電壓。

5.根據權利要求4所述的TFT液晶面板的物理性質測量裝置，其特征在于，所述規定值的電壓是將所述TFT(4A，400A)中的源極(42A，420A)-漏極(43A，430A)間的阻抗值設定為所述TFT(4A，400A)中的源極(42A，420A)-漏極(43A，430A)間可以通電的值的電壓。