[發(fā)明專利]一種基于靜態(tài)邏輯實現(xiàn)的提前終止比較器及其控制方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410201528.5 | 申請日: | 2014-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN104009738A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姜小波;鄭帥;李振寧 | 申請(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號: | H03K5/22 | 分類號: | H03K5/22 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 蔡茂略 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 靜態(tài) 邏輯 實現(xiàn) 提前 終止 比較 及其 控制 方法 | ||
1.一種基于靜態(tài)邏輯實現(xiàn)的提前終止比較器,其特征在于,包括至少兩個兩位靜態(tài)比較單元和至少一個終止判斷單元,所述兩位靜態(tài)比較單元級聯(lián)再與終止判斷單元連接,所述兩位靜態(tài)比較單元級聯(lián)后,每個兩位靜態(tài)比較單元的小于信號輸出端、大于信號輸出端分別與終止判斷單元的小于信號輸入端、大于信號輸入端連接,較高位的兩位靜態(tài)比較單元的相等信號輸出端與次高位的兩位靜態(tài)比較單元的相等信號輸入端連接,最低位的兩位靜態(tài)比較單元的相等信號輸出端與終止判斷單元的相等信號輸入端連接,所述終止判斷單元輸出為所述基于靜態(tài)邏輯實現(xiàn)的提前終止比較器的大于或等于輸出信號、完成信號和小于輸出信號,所述兩位靜態(tài)比較單元的數(shù)據(jù)輸入端用于輸入待比較數(shù)據(jù)信號;所述每個兩位靜態(tài)比較單元的使能信號輸入端與終止判斷單元的使能信號輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于靜態(tài)邏輯實現(xiàn)的提前終止比較器,其特征在于,所述兩位靜態(tài)比較單元包括大于比較電路、小于比較電路和相等比較電路;
所述大于比較電路包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)、第七PMOS管(P7)、第八PMOS管(P8)、第九PMOS管(P9)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)、第七NMOS管(N7)、第八NMOS管(N8)、第九NMOS管(N9)、第一反相器(1);所述第一PMOS管(P1)的源極、第三PMOS管(P3)的源極、第四PMOS管(P4)的源極、第六PMOS管(P6)的源極、第八PMOS管(P8)的源極和第九PMOS管(P9)的源極均連接電源,第九NMOS管(N9)的源極接地;
第一PMOS管(P1)的漏極與第二PMOS管(P2)的源極相接,第二PMOS管(P2)的漏極與第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)的漏極相接;
第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)的漏極與第五PMOS管(P5)的源極相接,第五PMOS管(P5)的漏極與第五NMOS管(N5)的漏極相接,第五NMOS管(N5)的源極與第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)的漏極相接;
第六PMOS管(P6)的漏極與第七PMOS管(P7)的源極相接,第七PMOS管(P7)的漏極與第六NMOS管(N6)的漏極相接,第六NMOS管(N6)的源極與第七NMOS管(N7)的漏極相接;
第八PMOS管(P8)、第九PMOS管(P9)的漏極與第一反相器(1)的輸入端相接;
第二PMOS管(P2)的漏極與第五PMOS管(P5)、第五NMOS管(N5)的柵極相接,第五PMOS管(P5)的漏極與第七PMOS管(P7)的漏極相接,第七PMOS管(P7)的漏極與第一反相器(1)的輸入端相接;
第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第七NMOS管(N7)的源極均與第八NMOS管(N8)的漏極相接,第八NMOS管(N8)的源極與第九NMOS管(N9)的漏極相接;
第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)的柵極均連接第一數(shù)據(jù)低位非信號第二PMOS管(P2)和第二NMOS管(N2)的柵極均連接第二數(shù)據(jù)低位信號(B0);第三PMOS管(P3)和第三NMOS管(N3)的柵極均連接第一數(shù)據(jù)高位信號(A1);第四PMOS管(P4)的柵極和第四NMOS管(N4)的柵極均連接第二數(shù)據(jù)高位非信號第六PMOS管(P6)和第六NMOS管(N6)的柵極均連接第一數(shù)據(jù)高位信號(A1);第七PMOS管(P7)和第七NMOS管(N7)的柵極均連接第二數(shù)據(jù)高位非信號第八PMOS管(P8)和第八NMOS管(N8)的柵極均連接相等信號的輸入端(EQin);第九PMOS管(P9)和第九NMOS管(N9)的柵極均連接使能信號(EN);第一反相器(1)的輸出端作為大于信號(GTout)的輸出端。
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