[發明專利]改性二氧化硅微粒及其制造方法、薄膜形成用的涂布液、帶薄膜的基材、以及光電單元有效
| 申請號: | 201410200714.7 | 申請日: | 2014-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN104164099B | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 二神涉;松田政幸;村口良;平井俊晴 | 申請(專利權)人: | 日揮觸媒化成株式會社 |
| 主分類號: | C09C1/28 | 分類號: | C09C1/28;C09C3/12;C09C3/06;C09D183/04;C09D183/08;C09D7/62 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 馮雅 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改性 二氧化硅 微粒 及其 制造 方法 薄膜 形成 涂布液 基材 以及 光電 單元 | ||
1.一種改性二氧化硅微粒,其特征在于,該微粒是在二氧化硅微粒的表面結合有4官能的有機硅化合物的低聚物的改性二氧化硅微粒,所述低聚物是所述4官能的有機硅化合物的單體以線狀結合后的形態,所述低聚物的平均分子量在1000~10000的范圍內,
所述有機硅化合物表示為SiX4,其中X是碳數1~4的烷氧基、羥基、鹵素、氫。
2.如權利要求1所述的改性二氧化硅微粒,其特征在于,所述二氧化硅微粒是二氧化硅中空微粒。
3.如權利要求2所述的改性二氧化硅微粒,其特征在于,所述低聚物結合在所述二氧化硅中空微粒的表面的重量相當于所述二氧化硅中空微粒的重量的3~90%。
4.如權利要求1所述的改性二氧化硅微粒,其特征在于,所述有機硅化合物是4官能的水解性有機硅烷。
5.一種改性二氧化硅微粒的制造方法,其特征在于,包括:
制備包含二氧化硅微粒的二氧化硅分散液的工序;
使4官能的有機硅化合物的單體在酸的環境下低聚化的低聚物液的制備工序;
通過將酸從所述低聚物液中除去,添加所述二氧化硅分散液進行攪拌,使所述4官能的有機硅化合物的低聚物結合在所述二氧化硅微粒的表面的改性工序,
所述有機硅化合物表示為SiX4,其中X是碳數1~4的烷氧基、羥基、鹵素、氫。
6.如權利要求5所述的改性二氧化硅微粒的制造方法,其特征在于,所述改性工序中,從所述低聚物液中除去酸以使該低聚物液的pH在5~7的范圍內。
7.如權利要求5所述的改性二氧化硅微粒的制造方法,其特征在于,所述改性工序是從添加所述二氧化硅分散液和所述低聚物液而得的溶液中除去酸并進行攪拌的工序。
8.如權利要求7所述的改性二氧化硅微粒的制造方法,其特征在于,所述改性工序中,通過除去酸使該溶液的pH在4~7的范圍內。
9.如權利要求5~8中任一項所述的改性二氧化硅微粒的制造方法,其特征在于,所述二氧化硅微粒是二氧化硅中空微粒。
10.一種薄膜形成用的涂布液,它是包含在二氧化硅微粒的表面結合有4官能的第一有機硅化合物的低聚物的改性二氧化硅微粒、和粘合劑成分的涂布液,其特征在于,
所述低聚物是所述第一有機硅化合物的單體以線狀結合后的形態,所述低聚物的平均分子量在1000~10000的范圍內,
所述有機硅化合物表示為SiX4,其中X是碳數1~4的烷氧基、羥基、鹵素、氫;
所述粘合劑成分包含4官能的第二有機硅化合物。
11.如權利要求10所述的薄膜形成用的涂布液,其特征在于,所述二氧化硅微粒是二氧化硅中空微粒。
12.如權利要求10或11所述的薄膜形成用的涂布液,其特征在于,所述粘合劑成分還包含3官能的有機硅化合物。
13.一種帶薄膜的基材,其特征在于,在表面具備由權利要求10~12中任一項所述的涂布液所形成的薄膜。
14.如權利要求13所述的帶薄膜的基材,其特征在于,所述薄膜的厚度在80~120nm、或180~220nm的任一范圍內。
15.一種光電單元,其特征在于,具備帶有由權利要求10~12中任一項所述的涂布液所形成的薄膜的透明基材,并且所述薄膜起到防反射膜的作用。
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