[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410200687.3
• 申請日: 2014-05-13
• 公開（公告）號: CN103995408B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 薛靜;邢紅燕;陳雅娟;尹巖巖;崔子巍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

技術領域

本發明涉及顯示裝置技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優點，在當前的平板顯示裝置市場中占據了主導地位。對于TFT-LCD來說，陣列基板以及制造方法決定了其產品性能、成品率和價格。

TN、IPS、VA、ADS是液晶顯示的幾種模式，其中，ADS是ADSDS(ADvanced?Super?Dimension?Switch)的簡稱，即高級超維場轉換技術，通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

高級超維場開關技術可以提高TFT產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。

ADS產品在陣列基板制造階段無法進行像素區域的薄膜晶體管特性(TFT?Character)確認，從而不能準確判斷像素區域的TFT?Character是否異常，即使開發過程中很合理的考慮到了測試需求，設計了測試Teg(電學測試點)區域，但其TFT?Character也和像素區域的TFT?Character存在一定偏差，無法精確反應像素區域的TFT?Character，給開發檢討工作帶來極大的不便，影響開發效率；一旦出現問題也不能第一時間得以解決，無形當中增加了生產成本。

發明內容

本發明的目的是提供一種有助于像素區域的TFT?Character確認、有助于開發效率同時減少開發成本的陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

本發明的陣列基板，包括柵線、數據線以及形成在柵線和數據線限定的像素區域內的像素電極，還包括與所述像素電極連接的用于測試薄膜晶體管特性的測試端子。

本發明的陣列基板，其中，所述像素電極包括設置于柵絕緣層以及有源層上的第一像素電極以及與所述第一像素電極平行設置的第二像素電極，所述測試端子與所述第一像素電極連接。

本發明的陣列基板，其中，包括：

在基板上的柵電極；

柵電極上方的柵絕緣層以及有源層；

柵絕緣層以及有源層上的第一像素電極，所述測試端子與第一像素電極同層形成且位于所述基板上；

形成于有源層上的源電極以及形成于第一像素電極上的漏電極；

形成于源電極、漏電極上的保護層；

形成于保護層上的第二像素電極。

本發明的陣列基板，其中，所述測試端子位于所述像素區域與柔性電路板綁定區域之間。

本發明的陣列基板，其中，所述像素區域與柔性電路板綁定區域之間設置有靜電環，所述測試端子位于所述靜電環與柔性電路板綁定區域之間。

本發明的陣列基板，其中，所述靜電環與柔性電路板綁定區域之間設置有公共電極引線，所述測試端子位于公共電極引線與柔性電路板綁定區域之間。

本發明的陣列基板，其中，所述公共電極引線與柔性電路板綁定區域之間設置有測試走線，所述測試端子位于測試走線與柔性電路板綁定區域之間。

本發明的顯示裝置，包括本發明的陣列基板。

本發明的陣列基板的制造方法，包括：

在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成柵線和柵電極的圖形；

在所述基板上形成柵絕緣層以及有源層的圖形；

在所述基板上同層形成第一像素電極以及與所述第一像素電極連接的用于測試薄膜晶體管特性的測試端子的圖形；

在所述基板上形成源/漏電極的圖形；

在所述基板上形成保護層的圖形；

在所述基板上形成第二像素電極的圖形。

本發明的陣列基板的制造方法，其中，在所述基板上同層形成第一像素電極以及與所述第一像素電極連接的用于測試薄膜晶體管特性的測試端子的圖形包括：

在所述基板上沉積第一像素電極材料以及測試端子材料；

在第一像素電極材料以及測試端子材料上涂敷光刻膠，利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光、顯影處理，通過刻蝕工藝得到第一像素電極以及測試端子的圖形。