[發(fā)明專利]插入件、半導(dǎo)體封裝件及制造插入件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410199160.3 | 申請日: | 2014-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN104425433A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金起煥;樸正鉉;趙鏞允;鄭丞洹;金多禧;韓基鎬 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;李靜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 插入 半導(dǎo)體 封裝 制造 方法 | ||
1.一種插入件,包括:
插入件基板,所述插入件基板通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構(gòu)成;
腔,所述腔在厚度方向上穿過所述插入件基板的中央;以及
連接電極,所述連接電極具有柱部,所述柱部設(shè)置在所述插入件基板的上表面和下表面中的至少一個表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件,其中,所述連接電極包括焊盤部,所述焊盤部設(shè)置在所述柱部與所述插入件基板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件,其中,所述柱部的高度控制為對應(yīng)于包括在所述腔中的半導(dǎo)體裝置的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件,其中,所述連接電極構(gòu)造成多個。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件,其中,所述柱部的所述上表面還設(shè)置有金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件,其中,所述連接電極的表面設(shè)置有粗糙度。
7.一種半導(dǎo)體封裝件,包括:
封裝件基板,所述封裝件基板設(shè)置在根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的插入件基板的上部和下部上,并且所述封裝件基板通過所述連接電極電連接至所述插入件基板。
半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置安裝在所述封裝件基板的一個表面上并包括在所述插入件基板的腔中;以及
密封材料,填充所述密封材料以密封包括在所述腔的內(nèi)部中的所述半導(dǎo)體裝置。
8.一種制造插入件的方法,包括:
準(zhǔn)備通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構(gòu)成的插入件基板;
在所述插入件基板的一個表面或兩個表面上堆疊光阻劑;
在所述光阻劑中形成連接電極的位置處機(jī)械加工出一開口,并且然后填充所述開口的內(nèi)部;
通過剝離所述光阻劑形成具有柱部的所述連接電極;以及
形成在厚度方向上穿過所述插入件基板的中央的腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,以對應(yīng)于所述連接電極的厚度的高度來堆疊所述光阻劑的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括:
在形成所述連接電極之后,對所述光阻劑的表面進(jìn)行拋光。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括:
在通過剝離所述光阻劑形成具有柱部的所述連接電極之前,在所述柱部的上表面上形成金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括:
在通過剝離所述光阻劑形成具有柱部的所述連接電極之后,通過對所述連接電極進(jìn)行表面處理而形成粗糙度。
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