[發明專利]插入件、半導體封裝件及制造插入件的方法

在審

• 申請號: 201410199160.3
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN104425433A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 金起煥;樸正鉉;趙鏞允;鄭丞洹;金多禧;韓基鎬
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;李靜

本申請要求于2013年8月30日提交的題為“插入件和使用插入件的半導體封裝件及制造插入件的方法(Interposer?And?Semiconductor?Package?Using?The?Same,And?Method?Of?Manufacturing?Interposer)”的韓國專利申請序號10-2013-0104142的外國優先權，其全部內容通過引證方式結合在本申請中。

技術領域

本發明涉及一種插入件，并且更特別地，涉及一種插入件和使用該插入件的半導體封裝件以及制造插入件的方法。

背景技術

由于對于小而輕且高度集成的半導體裝置的需求增加，已研究了諸如堆疊式芯片封裝件的三維集成電路。通常，三維集成電路包括用于在半導體芯片(將其堆疊以鄰近彼此)之間相互連接的插入件。

通過參考專利文獻(第10-2009-7023266號專利申請)來描述具有使用根據現有技術的插入件的封裝件構造的基本結構，插入件設置在基板與半導體裝置之間，并且除用于傳輸多個信號的通道(即，過孔)之外還包括用于在基板與半導體裝置之間電連接的各種引線。

通常，插入件通過堆疊多個絕緣層而形成，并且因此可依據絕緣層的層數來控制插入件的高度。就是說，當需要更厚的插入件時，需要堆疊更多的絕緣層。

然而，在通過該方法控制插入件的高度的情況下，即使在不需要形成引線的空間中絕緣層也被不必要地堆疊在插入件中，從而導致材料的相當大的浪費。此外，當絕緣層的層數增加時，通過在每層的絕緣層中形成的引線和過孔傳導的電信號的路徑變長，這樣使得信號丟失和失真可能增加。

同時，在插入件與基板之間以及插入件與半導體裝置之間可通過結合薄膜、焊膏、焊球等連接。通過該結合方法，廣泛地形成了結合部分，這樣使得控制電路的集成是困難的。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

(專利文獻1)專利文獻：第10-2009-7023266號專利申請

發明內容

本發明的目的是通過提供一種具有連接電極(該連接電極具有柱形形狀)的插入件并且構造一種使用該插入件的半導體封裝件，而與現有技術相比改善電特性，同時更加減少制造成本和時間并且更加提高生產效率。

根據本發明的示例性實施方式，提供了一種插入件，該插入件包括：插入件基板，該插入件基板通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構成；腔，該腔在寬度方向上穿過插入件基板的中央；以及連接電極，該連接電極具有設置在插入件基板的上表面和下表面中的至少一個表面上的柱部。

連接電極可包括焊盤部，該焊盤部設置在柱部與插入件基板之間。

柱部的高度可控制為對應于包括在腔中的半導體裝置的厚度。

連接電極可構造成多個。

柱部的上表面還可設置有金屬層。

連接電極的表面可設置有粗糙度。

根據本發明的另一示例性實施方式，提供了一種半導體封裝件，該半導體封裝件包括：封裝件基板，該封裝件基板設置在如上所述的插入件基板的上部和下部上，并且該封裝件基板通過連接電極電連接至插入件基板；半導體裝置，該半導體裝置安裝在封裝件基板的一個表面上并且包括在插入件基板的腔中；以及密封材料，填充該密封材料以密封包括在腔的內部中的半導體裝置。

根據本發明的又一示例性實施方式，提供了一種制造插入件的方法，該方法包括：準備通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構成的插入件基板；在插入件基板的一個表面或兩個表面上堆疊光阻劑；在光阻劑中形成連接電極的位置處機械加工出一個開口，并且然后填充開口的內部；通過剝離光阻劑形成具有柱部的連接電極；以及形成在厚度方向上穿過插入件基板的中央的腔。

可以以對應于連接電極的厚度的高度來堆疊光阻劑的厚度。

制造插入件的方法可還包括：在形成連接電極之后，對光阻劑的表面進行拋光。

制造插入件的方法可還包括：在通過剝離光阻劑形成具有柱部的連接電極之前，在柱部的上表面上形成金屬層。

制造插入件的方法可還包括：在通過剝離光阻劑形成具有柱部的連接電極之后，通過對連接電極進行表面處理來形成粗糙度。

附圖說明

圖1為根據本發明的示例性實施方式的插入件的截面圖。

圖2為根據本發明的示例性實施方式的插入件的平面圖。

圖3為使用根據本發明的示例性實施方式的插入件的半導體封裝件的截面圖。