[發明專利]一種動態預充控制電路和閃存存儲系統有效
| 申請號: | 201410199017.4 | 申請日: | 2014-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN103956187B | 公開(公告)日: | 2017-07-18 |
| 發明(設計)人: | 陳曉璐 | 申請(專利權)人: | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬,鄧猛烈 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 動態 控制電路 閃存 存儲系統 | ||
技術領域
本發明涉及存儲技術領域,具體涉及一種動態預充控制電路和閃存存儲系統。
背景技術
閃存(Flash Memory)是一種非揮發性的半導體存儲芯片,采用傳統的浮柵晶體管作為最小的存儲單元,在讀取所述閃存存儲器中的數據時,需要先通過靈敏放大器對閃存存儲器的位線進行預充電,使得所述存儲單元的漏極穩定在一個固定電壓,再進行數據的輸出。
圖1為現有技術中靈敏放大器的預充控制電路圖。如圖1所示,所述靈敏放大器在第一控制端EN1使用一個負脈沖對所述閃存存儲器的位線進行預充電,即當所述第一控制端EN1輸入低電平,同時第二控制端EN2輸入低電平,第三控制端EN3輸入高電平時,所述預充控制電路開始對閃存存儲器WL進行預充電,當所述第一控制端EN1的輸入由低電平變為高電平時,停止對閃存存儲器WL的預充電,所述負脈沖的脈沖寬度為一預先設計的固定值,因此,無法根據閃存存儲器的實際狀態進行自適應的調整對閃存存儲器的預充電時間。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供一種動態預充控制電路和閃存存儲系統,以解決預充控制電路不能根據負載的實際情況進行自適應預充電的問題。
一方面,本發明實施例提供了一種動態預充控制電路,包括控制單元和預充電單元,所述預充電單元通過位線與一負載連接,所述控制單元包括第一控制端、第一NMOS管、第二NMOS管、反相器和第一PMOS管,用于控制所述預充電單元對負載的預充電狀態;
所述預充電單元用于根據所述控制單元的控制自適應的對負載進行預充電或關斷對負載的預充電。
進一步地,所述第一控制端與所述第一NMOS管的柵極連接,所述第一NMOS管的源極與所述反相器的輸入端和所述預充電單元的中點連接,所述第一NMOS管的漏極接地,所述第二NMOS管的柵極與所述第一控制端連接,所述第二NMOS管的源極與所述第一PMOS管的漏極連接,所述第二NMOS管的漏極接地,所述反相器的輸入端與所述預充電單元連接,所述反相器的輸出端與所述第一PMOS管的柵極連接,所述第一PMOS管的源極與電源連接,所述第一PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極連接。
進一步地,所述預充電單元包括第二控制端、第三控制端、第四控制端、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,
所述第二PMOS管的柵極與所述第二控制端連接,所述第二控制端為所述控制單元中第一PMOS管的漏極和第二NMOS管的源極的中點,所述第二PMOS管的源極與電源連接,所述第二PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接,所述第三PMOS管的柵極與所述第三控制端連接,所述第三PMOS管的源極與電源連接,所述第三PMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極連接,所述第三PMOS管的漏極和第四NMOS管的源極的中點為所述預充電單元的輸出端,所述預充電單元的輸出端與所述控制單元中反相器的輸入端連接,所述第三NMOS管的柵極與所述第四控制端連接,所述第三NMOS管的源極與第二PMOS管的漏極連接,所述第三NMOS管的漏極與位線連接,所述第四NMOS管的柵極與所述第四控制端連接,所述第四NMOS管的源極與第三PMOS管的漏極連接,所述第四NMOS管的漏極與位線連接。
進一步地,所述動態預充控制電路還包括第六NMOS管,所述第六NMOS管的柵極與電源連接,所述第六NMOS管的源極與位線連接,所述第六NMOS管的漏極與負載連接。
進一步地,所述預充電單元用于根據所述控制單元的控制自適應的對負載進行預充電或關斷對負載的預充電具體為:
當所述第一控制端輸入高電平,并且所述第四控制端輸入低電平時,所述第二控制端為低電平;
當所述第一控制端輸入低電平,并且所述第四控制端輸入高電平時,所述預充電單元對所述負載進行預充電,當所述預充電單元的輸出端的電壓達到所述反相器的翻轉點時,所述第二控制端被充到高電平,所述預充電單元關斷對所述負載的預充電。
進一步地,所述反相器的翻轉點為所述預充電單元輸出端的靜態工作點。
進一步地,所述第三控制端輸入一固定的低電平,所述固定的低電平使得所述第三PMOS管導通。
另一方面,本發明實施例提供了一種閃存存儲系統,所述閃存系統包括閃存存儲器和用于讀取所述閃存存儲器中數據的靈敏放大器,其中,所述靈敏放大器中包括動態預充控制電路,所述動態預充控制電路包括上述任一項所述的動態預充控制電路。
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