[發(fā)明專利]一種動態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410199017.4 | 申請日: | 2014-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN103956187B | 公開(公告)日: | 2017-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳曉璐 | 申請(專利權(quán))人: | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬,鄧猛烈 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 動態(tài) 控制電路 閃存 存儲系統(tǒng) | ||
1.一種動態(tài)預(yù)充控制電路,包括控制單元和預(yù)充電單元,所述預(yù)充電單元通過位線與一負(fù)載連接,其特征在于,
所述控制單元用于控制所述預(yù)充電單元對負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài);
所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對負(fù)載的預(yù)充電;
所述控制單元包括第一控制端、第一NMOS管、第二NMOS管、反相器和第一PMOS管,
所述第一控制端與所述第一NMOS管的柵極連接,所述第一NMOS管的源極與所述反相器的輸入端和所述預(yù)充電單元的中點(diǎn)連接,所述第一NMOS管的漏極接地,所述第二NMOS管的柵極與所述第一控制端連接,所述第二NMOS管的源極與所述第一PMOS管的漏極連接,所述第二NMOS管的漏極接地,所述反相器的輸入端與所述預(yù)充電單元連接,所述反相器的輸出端與所述第一PMOS管的柵極連接,所述第一PMOS管的源極與電源連接,所述第一PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)預(yù)充控制電路,其特征在于,所述預(yù)充電單元包括第二控制端、第三控制端、第四控制端、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,
所述第二PMOS管的柵極與所述第二控制端連接,所述第二控制端為所述控制單元中第一PMOS管的漏極和第二NMOS管的源極的中點(diǎn),所述第二PMOS管的源極與電源連接,所述第二PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接,所述第三PMOS管的柵極與所述第三控制端連接,所述第三PMOS管的源極與電源連接,所述第三PMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極連接,所述第三PMOS管的漏極和第四NMOS管的源極的中點(diǎn)為所述預(yù)充電單元的輸出端,所述預(yù)充電單元的輸出端與所述控制單元中反相器的輸入端連接,所述第三NMOS管的柵極與所述第四控制端連接,所述第三NMOS管的源極與第二PMOS管的漏極連接,所述第三NMOS管的漏極與位線連接,所述第四NMOS管的柵極與所述第四控制端連接,所述第四NMOS管的源極與第三PMOS管的漏極連接,所述第四NMOS管的漏極與位線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動態(tài)預(yù)充控制電路,其特征在于,所述動態(tài)預(yù)充控制電路還包括第六NMOS管,所述第六NMOS管的柵極與電源連接,所述第六NMOS管的源極與位線連接,所述第六NMOS管的漏極與負(fù)載連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的動態(tài)預(yù)充控制電路,其特征在于,所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對負(fù)載的預(yù)充電具體為:
當(dāng)所述第一控制端輸入高電平,并且所述第四控制端輸入低電平時,所述第二控制端為低電平;
當(dāng)所述第一控制端輸入低電平,并且所述第四控制端輸入高電平時,所述預(yù)充電單元對所述負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電,當(dāng)所述預(yù)充電單元的輸出端的電壓達(dá)到所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時,所述第二控制端被充到高電平,所述預(yù)充電單元關(guān)斷對所述負(fù)載的預(yù)充電。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的動態(tài)預(yù)充控制電路,其特征在于,所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)為所述預(yù)充電單元輸出端的靜態(tài)工作點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的動態(tài)預(yù)充控制電路,其特征在于,所述第三控制端輸入一固定的低電平,所述固定的低電平使得所述第三PMOS管導(dǎo)通。
7.一種閃存存儲系統(tǒng),其特征在于,所述閃存存儲系統(tǒng)包括閃存存儲器和用于讀取所述閃存存儲器中數(shù)據(jù)的靈敏放大器,其中,所述靈敏放大器中包括動態(tài)預(yù)充控制電路,所述動態(tài)預(yù)充控制電路包括如權(quán)利要求1-6中任一項所述的動態(tài)預(yù)充控制電路。
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