[發明專利]晶圓處理方法

有效

• 申請號: 201410196551.X
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN105097432B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 施林波;劉堯;陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種晶圓處理方法，其特征在于，包括：

提供承載基底，所述承載基底具有第一表面，所述承載基底的第一表面具有定位標記，所述定位標記到承載基底的邊緣具有第一距離；

提供待處理基底，所述待處理基底具有第一表面、以及與第一表面相對的第二表面，所述待處理基底具有器件區、以及包圍器件區的邊緣區；

將所述承載基底的第一表面與所述待處理基底的第一表面鍵合，所述待處理基底和承載基底的邊緣重合，且所述定位標記位于待處理基底的邊緣區內；

對所述待處理基底進行修邊工藝，所述修邊工藝包括：

第一修邊工藝，使所述待處理基底的半徑減小第二距離，暴露出部分承載基底的第一表面，所述第二距離小于第一距離；

第二修邊工藝，在第一修邊工藝之后、或在第一修邊工藝的過程中進行，所述第二修邊工藝去除定位標記表面的待處理基底，完整暴露出承載基底第一表面的定位標記；

通過所述定位標記的定位，在待處理基底的第二表面形成掩膜層，所述掩膜層內具有暴露出部分待處理基底第二表面的開口；

以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述開口底部的待處理基底，直至暴露出承載基底的第一表面為止，在待處理基底內形成通孔。

2.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述待處理基底包括：第二襯底、以及位于第二襯底表面的器件層，所述器件層表面為所述待處理基底的第一表面。

3.如權利要求2所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述器件層包括：位于第二襯底表面的器件結構、以及位于第二襯底表面且包圍所述器件結構的絕緣層。

4.如權利要求3所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述通孔的形成工藝包括：以所述掩膜層為掩膜，刻蝕開口底部的第二襯底，直至暴露出絕緣層表面為止；在暴露出絕緣層表面之后，以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述絕緣層，直至暴露出承載基底表面為止。

5.如權利要求3所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述器件結構形成于待處理基底的器件區內。

6.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述第二修邊工藝去除定位標記表面的待處理基底，并形成相對于待處理基底的邊緣凹陷的修邊側壁。

7.如權利要求6所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述修邊側壁具有向待處理基底中心延伸的頂角，且所述頂角為直角。

8.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述修邊工藝采用刀具自待處理基底的邊緣朝向中心進給，使所述待處理基底的半徑減小。

9.如權利要求8所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述刀具的轉速為2000轉/分鐘～3000轉/分鐘，所述刀具的進給速度為5微米/秒～10微米/秒，所述進給的深度為400微米～750微米。

10.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述掩膜層包括光刻膠層。

11.如權利要求10所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述掩膜層的形成工藝包括：在待處理基底的第二表面形成光刻膠膜；采用曝光工藝使所述光刻膠膜圖形化，且所述曝光工藝通過暴露出的定位標記進行定位；在所述曝光工藝之后，采用顯影工藝去除部分光刻膠膜，以形成暴露出部分待處理基底的光刻膠層。

12.如權利要求10所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述掩膜層還包括位于待處理基底和光刻膠層之間的硬掩膜，所述硬掩膜的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種組合，且所述硬掩膜的材料為透明材料。

13.如權利要求1所述的晶圓處理方法，其特征在于，還包括：在所述修邊工藝之后，在形成掩膜層之前，對所述待處理基底的第二表面進行減薄，使所述待處理基底的厚度減薄至預設厚度。