[發明專利]一種封裝結構

有效

• 申請號: 201410196355.2
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN103972194A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 楊懷維
• 申請（專利權）人: 山東華芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/28
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 丁修亭

技術領域

本發明涉及一種封裝結構，具體是涉及一種WLP（Wafer level packaging，晶片級封裝，又稱晶圓級封裝）結構。

背景技術

晶圓級封裝是以BGA（Ball Grid Array，球柵陣列結構）技術為基礎，是一種經過改進和提高的CSP（Chip Scale Package，芯片尺寸封裝）。另外，業界又將WLP稱為圓片級-芯片尺寸封裝（WLP-CSP）。

晶片及封裝技術以圓片為加工對象，在圓片上同時對眾多芯片進行封裝、老化、測試，最后切割成單個器件，可以直接貼裝在基板或者印刷電路板上。

近幾年開發出的擴散式WLP（fan-out WLP），基于晶圓重構技術，將芯片重新布置到一塊人工晶圓上，然后按照與標準WLP工藝類似的步驟進行封裝，得到的封裝面積要大于芯片面積。

傳統的WLP封裝，通過圓片的減薄、切割、上片、焊線、塑封、植球等形式進行封裝，隨著科技的發展內存容量越來越大，一直以來的通過疊片的封裝方式，進行焊線增大內存，而目前消費者對于電子產品要求，“小”“輕” “薄”故疊片的方式不能滿足。

如圖1所示，為一種傳統的WLP封裝結構，它包括一個具有基板電路的基板6，在基板6通過膠層7貼裝芯片2，然后再在芯片2上通過膠層1貼裝芯片3，再通過打線，如圖中的金線4進行芯片與基板電路的連接，最后通過如樹脂形成樹脂封裝體，以保證整體的機械強度。其整體結構相對較厚，整體尺寸（Scale）相對較大。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種新的封裝結構，具有相對較小的封裝體的厚度。

本發明采用以下技術方案：

一種封裝結構，包括：

金屬板，具有第一面和與第一面相對的第二面；

底膠體，貼于第一面；

側膠體，圍在底膠體的周邊，從而與底膠體構成槽型結構；

芯片，容納在所述槽型結構內；以及

錫球，植在芯片的預定位置。

上述封裝結構，在較佳的實施例中，所述金屬板為黑色的金屬板，從而，所述第二面為激光打標面。

具體地，所述金屬板所采用金屬的性質如下：

熱膨脹系數：0.5×10E-6/K；

延展性：在標準大氣壓下，室溫20℃，延性抽絲直徑不小于1/500mm,展性厚度不小于1/1000mm；

硬度：15-25HBW。

在另一些實施例中，還包括貼裝在第二面上的激光打標層。

具體地，底膠體與芯片在金屬板第一面上的投影一致，側膠體與底膠體恰好覆蓋第一面。

優選地，所述芯片還包括延展到側膠體上的電極，并在電極上植有錫球。

依據本發明，通過金屬板支撐晶圓，其具有良好的導熱性，因而能夠很好的散熱，并具有比較好的剛度。通過膠體進行封裝，結構簡單，且耐水性普遍較好，能夠滿足芯片的要求。

附圖說明

圖1為已知的一種WLP結構示意圖。

圖2為依據本發明較佳實施例的一種封裝結構示意圖。

圖3為依據本發明實施例的一種封裝結構示意圖。

圖中：1.膠層，2.芯片，3.芯片，4.金線，5.樹脂封裝體，6.基板，7.膠層；8.芯片，9.錫球，10.側膠體，11.金屬板，12.底膠體，13激光打標層，14.電極。

具體實施方式

參見說明書附圖2和附圖3所示的封裝結構，圖中所表示為剖面結構，為了清楚顯示圖像，沒有畫出剖面線。圖中所示的封裝結構，它主要包括作為載體的金屬板11、通過膠體封裝在該金屬板上的芯片8，以及用于芯片8對外電氣連接的錫球9。

其中，關于金屬板11，它具有第一面和與第一面相對的第二面，該金屬板11的主要作用是支撐作用，用于支撐芯片或者晶圓。另外金屬普遍具有良好的導熱性，有利于散熱，因此，利用其良好的導熱性把芯片工作時產生的熱量導出，提高芯片的工作性能，在下文中還涉及到金屬板11的其他作用，于具體的實施例中體現。

關于膠體，圖中含有兩個部分，及底膠體12和側膠體10，匹配金屬板11，為能用于金屬粘接的黑膠，如E-305A膠。

其中，底膠體12，貼于第一面，具體理解應為下述的芯片8通過底膠體12貼裝在金屬板11的第一面上，所使用的膠體可以把芯片8與金屬板11很好的結合在一體。

配置側膠體10，圍在底膠體12的周邊，從而與底膠體12構成槽型結構，從而形成能夠容納芯片8的槽型結構。