[發明專利]一種用于HTOL測試的閃存設置方法

有效

• 申請號: 201410195902.5
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN105097048B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 詹奕鵬;金起準;趙國旭;葉曉;楊震
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

本發明提供一種用于HTOL測試的閃存設置方法，涉及半導體技術領域。本發明的用于HTOL測試的閃存設置方法，通過設置在源極、控制柵與襯底上施加的電壓，使得所述控制柵與所述源極之間以及所述控制柵與所述襯底之間不存在電壓差，因此，可以改善控制柵的電荷儲存能力，保證HTOL測試的質量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種用于HTOL測試的閃存設置方法。

背景技術

在半導體技術領域中，高溫壽命測試(High Temperature Operating Life test；HTOL)用于評估器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力。對于閃存(flash)的可靠性而言，在數百或數千次的循環(cycling)之后的HTOL是一個主要指數。通常而言，閃存產品需要在10000次的循環之后，通過1000小時的高溫壽命測試(HTOL)。

現有技術中的一種NOR型閃存的單元結構如圖1所示，包括襯底100、源極(Source)101、漏極(Drain)102、選擇柵(Selected Gate)103和控制柵(Control Gate)104。其中，選擇柵103用于在操作時選擇相應的單元(cell)，控制柵104用于通過是否儲存有電荷定義狀態“0”或“1”。如果控制柵104內儲存有電子，相應的單元處于“開”(ON)狀態，記作狀態“0”；如果控制柵104內未儲存電子，則相應的單元處于“關”(OFF)狀態，記作狀態“1”。

在圖1中，該閃存單元處于待機模式(standby mode)，選擇柵103上的電壓為1.8V。需要解釋的是，如果該閃存單元處在用于讀取的被選定狀態，則選擇柵上的電壓為-1.2V。

為了獲得高的速度，閃存(flash)總是處于待機模式，即，由N阱構成的襯底(bulk)100總是連接至電源電壓Vcc(例如1.8V)，控制柵104和漏極102總是連接至GND(接地)，源極101總是連接至電源電壓Vcc(例如1.8V)，因此，控制柵與襯底之間以及與源極之間總是存在電壓差，這會加速控制柵104中儲存的電子從控制柵104泄漏出來，尤其當閃存單元已經完成數百或數千次的循環之后。

然而，在進行高溫壽命測試的過程中，需要保持控制柵104上儲存的電荷數，以保證測試質量。

由此可見，現有技術中的上述對閃存進行設置(此處的設置主要指施加電壓)的方法，有時會無法滿足進行高溫壽命測試(HTOL)的要求。因此，為解決這一問題，有必要提出一種新的用于HTOL測試的閃存設置方法。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種用于HTOL測試的閃存設置方法，可以改善控制柵的電荷儲存能量。

本發明實施例提供一種用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述閃存包括襯底、源極和控制柵，其中，所述方法包括：通過設置在所述源極、所述控制柵與所述襯底上施加的電壓，使得所述控制柵與所述源極之間以及所述控制柵與所述襯底之間不存在電壓差。

可選地，在所述襯底上施加的電壓為Vcc，在所述控制柵上施加的電壓為GND，在所述源極上施加的電壓為GND。

可選地，所述閃存還包括選擇柵，并且所述方法還包括：在所述選擇柵上施加電壓Vcc。

可選地，所述閃存還包括漏極，并且所述方法還包括：在所述漏極上施加電壓Vcc。

其中，所述Vcc為1.8V。

其中，所述Vcc為0V。

其中，所述閃存被控制在待機模式下。

可選地，所述襯底為N型摻雜，所述源極與所述漏極為P型摻雜。

可選地，所述閃存為NOR型閃存。