[發明專利]一種用于HTOL測試的閃存設置方法有效
| 申請號： | 201410195902.5 | 申請日： | 2014-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN105097048B | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 詹奕鵬;金起準;趙國旭;葉曉;楊震 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/56 | 分類號： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 高偉;趙禮杰 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 htol 測試 閃存 設置 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述閃存為NOR型閃存，所述閃存包括襯底、源極和控制柵，其中，所述方法包括：在所述襯底上施加的電壓為Vcc，在所述控制柵上施加的電壓為GND，在所述源極上施加的電壓為GND，通過設置在所述源極、所述控制柵與所述襯底上施加的電壓，使得所述控制柵與所述源極之間以及所述控制柵與所述襯底之間不存在電壓差。
2.如權利要求1所述的用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述閃存還包括選擇柵，并且所述方法還包括：在所述選擇柵上施加電壓Vcc。
3.如權利要求1所述的用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述閃存還包括漏極，并且所述方法還包括：在所述漏極上施加電壓Vcc。
4.如權利要求1所述的用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述Vcc為1.8V。
5.如權利要求1所述的用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述Vcc為0V。
6.如權利要求1所述的用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述閃存被控制在待機模式下。
7.如權利要求3所述的用于HTOL測試的閃存設置方法，其特征在于，所述襯底為N型摻雜，所述源極與所述漏極為P型摻雜。
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