[發明專利]配線和薄膜晶體管陣列面板的制造方法及有機發光顯示器有效
| 申請號: | 201410195634.7 | 申請日: | 2014-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN104143563B | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 尹秀娟;孫東珍 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 面板 制造 方法 有機 發光 顯示器 | ||
本發明公開了一種配線和薄膜晶體管陣列面板的制造方法及有機發光顯示器。所述配線的制造方法包括:在基板上形成下層;在所述下層上形成中間層;在所述中間層上形成上層;在所述上層上形成、曝光并顯影光刻膠層以形成光刻膠圖案;并且通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述上層、所述中間層和所述下層,以形成配線,使得所述上層覆蓋所述中間層的端部。
技術領域
本發明的示例性實施例涉及形成金屬配線和薄膜晶體管陣列面板的方法以及有機發光顯示器。
背景技術
近來,通過引進容易實現大面積且具有減小的重量和厚度的平板顯示器(FPD)改變了顯示設備市場。在許多種平板顯示器中,有機發光二極管顯示器(OLED)在減小厚度和重量方面最具優勢,因為其是不需要光源的自發光類型。
顯示設備中的像素包括多個薄膜晶體管,并且薄膜晶體管包括連接至傳輸掃描信號的柵極線的柵電極、連接至傳輸待施加至像素電極的信號的數據線的源電極、面對源電極的漏電極以及電連接至源電極和漏電極的半導體。
為了形成諸如數據線和柵極線的金屬配線,在基板上形成金屬層,并且通過使用光刻膠圖案的光刻工藝而圖案化金屬層。
通過曝光和顯影工藝形成光刻膠圖案。通過在顯影工藝中使用的顯影液刻蝕金屬層,并且根據所使用的金屬產生雜質。
具體來說,用于制造低電阻配線的由鋁制成的金屬層與顯影液發生反應,產生雜質,并且所產生的雜質殘留在金屬層上。最終,在測試工藝中,殘留在金屬層上的雜質可被識別為噪聲。
在該背景技術部分公開的上述信息僅是為了加強對本發明背景的理解,因此,其可以包含不構成現有技術的信息。
發明內容
本發明的示例性實施例涉及防止在顯影光刻膠時由于顯影液而產生雜質的配線形成方法、配線和使用這種配線的薄膜晶體管陣列面板的制造方法以及有機發光顯示器。
本發明的額外的特征記載在隨后的描述中,并且部分地根據這些描述顯而易見,或者可以通過實踐本發明而獲知。
本發明的示例性實施例公開了一種制造配線的方法,包括:在基板上形成下層;在所述下層上形成中間層;在所述中間層上形成上層;通過曝光并顯影形成在所述上層上的光刻膠層來形成光刻膠圖案;以及通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述上層、所述中間層和所述下層來形成配線,其中所述上層覆蓋所述中間層的端部。
本發明的示例性實施例還公開了一種薄膜晶體管陣列面板的制造方法,包括:在基板上形成第一下層;在所述第一下層上形成第一中間層;在所述第一中間層上形成第一上層;通過曝光并顯影形成在所述第一上層上的光刻膠層來形成光刻膠圖案;通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述第一上層、所述第一中間層和所述第一下層來形成第一信號線;形成連接至所述第一信號線的薄膜晶體管;形成連接至所述薄膜晶體管的第二信號線;以及形成連接至所述第二信號線的第一電極,其中所述第一上層覆蓋所述第一中間層的端部。
本發明的示例性實施例還公開了一種有機發光顯示器,包括基板、形成在所述基板上的柵極線;與所述柵極線相交的數據線和驅動電壓線;第一薄膜晶體管,具有連接至所述柵極線的第一柵電極和連接至所述數據線的第一源電極;第二薄膜晶體管,具有連接至所述第一薄膜晶體管的第一漏電極的第二柵電極和連接至所述驅動電壓線的第二源電極;連接至所述第二薄膜晶體管的第二漏電極的第一電極;形成在所述第一電極上的有機發射層;以及形成在所述有機發射層上的第二電極,其中所述柵極線和所述驅動電壓線中的至少之一由下層、中間層和上層制成。
應當理解,以上大體描述和以下詳細描述都是示例性和解釋性的,并且旨在提供如權利要求所述的對本發明的進一步解釋。
附圖說明
為進一步理解本發明而包括且被包含在本說明書中并構成本說明書的一部分的附圖,示出了本發明的實施例,并且連同描述一起用于解釋本發明的原理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





