[發明專利]配線和薄膜晶體管陣列面板的制造方法及有機發光顯示器有效
| 申請號: | 201410195634.7 | 申請日: | 2014-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN104143563B | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 尹秀娟;孫東珍 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 面板 制造 方法 有機 發光 顯示器 | ||
1.一種制造配線的方法,包括
在基板上形成下層;
在所述下層上形成中間層;
在所述中間層上形成上層;
使用顯影工藝在所述上層上形成光刻膠圖案;以及
通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述上層、所述中間層和所述下層來形成配線,
其中所述配線具有三層結構,所述三層結構具有所述下層、所述中間層和所述上層,并且
其中所述上層覆蓋所述中間層的端部的側面。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述上層對顯影液有耐受性,并且所述中間層對顯影液沒有耐受性。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述顯影工藝包括使用所述顯影液刻蝕光刻膠層。
4.根據權利要求2所述的方法,其中所述中間層包括鋁、鎳和鑭。
5.根據權利要求2所述的方法,其中所述下層和所述上層包括Mo。
6.根據權利要求2所述的方法,其中所述中間層包括鋁。
7.根據權利要求6所述的方法,其中:
所述上層包括鉬,并且
所述下層包括鋁、鎳和鑭。
8.根據權利要求6所述的方法,其中:
所述上層包括鋁、鎳和鑭,并且
所述下層包括鉬。
9.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述下層、所述中間層和所述上層在包括與所述基板的邊緣對準的掩膜的濺射設備中形成;
在形成所述中間層時,所述掩膜被對準為與所述基板重疊第一寬度;
在形成所述上層時,所述掩膜被對準為與所述基板重疊第二寬度;
所述第一寬度大于所述第二寬度。
10.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法,包括:
在基板上形成第一下層;
在所述第一下層上形成第一中間層;
在所述第一中間層上形成第一上層;
使用第一顯影工藝在所述第一上層上形成光刻膠圖案;
通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述第一上層、所述第一中間層和所述第一下層來形成第一信號線;
形成連接至所述第一信號線的薄膜晶體管;
形成連接至所述薄膜晶體管的第二信號線;以及
形成連接至所述第二信號線的第一電極,
其中所述第一信號線具有三層結構,所述三層結構具有所述第一下層、所述第一中間層和所述第一上層,并且
其中所述第一上層覆蓋所述第一中間層的端部的側面。
11.根據權利要求10所述的方法,其中所述第二信號線的形成進一步包括:
在所述基板上形成第二下層;
在所述第二下層上形成第二中間層;
在所述第二中間層上形成第二上層;
使用第二顯影工藝在所述第二上層上形成第二光刻膠圖案;以及
通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述第二上層、所述第二中間層和所述第二下層,
其中所述第二上層覆蓋所述第二中間層的端部。
12.根據權利要求10所述的方法,其中所述第一中間層包括鋁、鎳和鑭。
13.根據權利要求12所述的方法,其中所述第一下層和所述第一上層包括鉬。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





