[發(fā)明專利]具有不同的偽字線的三維快閃存儲器件和數(shù)據儲存設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410195246.9
• 申請日: 2014-05-09
• 公開（公告）號: CN104143358B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設計）人: 南尚完;樸起臺
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/24
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強

1.一種具有沿垂直于襯底的方向排列的多個單元串的三維(3D)快閃存儲器件，該3D快閃存儲器件包括：

第一單元串，其連接在位線和公共源極線之間，而且包括編程單元；

第二單元串，其連接在所述位線和所述公共源極線之間，而且包括連接到與所述編程單元相同的字線的編程禁止單元；

選擇第一單元串的第一串選擇線和選擇第二單元串的第二串選擇線；

第一偽字線，其布置在地選擇線和最低主字線之間；

第二偽字線，其具有不同于第一偽字線的字線配置，而且布置在第一串選擇線以及第二串選擇線和最高主字線之間；以及

電壓發(fā)生器，

其中，第一串選擇線和第二串選擇線、第一偽字線和第二偽字線、所述地選擇線、所述最低主字線和所述最高主字線連接到第一單元串和第二單元串，

第一偽字線包括第一數(shù)目的字線，而且第二偽字線包括不同于第一數(shù)目的第二數(shù)目的字線，

電壓發(fā)生器被構造為在擦除操作期間生成多個不同的擦除電壓并將所述多個不同的擦除電壓分別施加到所述第一數(shù)目的字線中的每一字線，

所述多個不同的擦除電壓當中的第一擦除電壓被施加到所述第一數(shù)目的字線中的與所述最低主字線相鄰的一字線，

所述多個不同的擦除電壓當中的第二擦除電壓被施加到所述第一數(shù)目的字線中的與所述地選擇線相鄰的另一字線，

第一擦除電壓的電平大于第二擦除電壓的電平。

2.如權利要求1所述的3D快閃存儲器件，其中，第二數(shù)目大于第一數(shù)目。

3.如權利要求1所述的3D快閃存儲器件，其中，所述地選擇線和第一偽字線之間的第一間隔長度不同于第一串選擇線以及第二串選擇線和第二偽字線之間的第二間隔長度。

4.如權利要求3所述的3D快閃存儲器件，其中，第二間隔長度大于第一間隔長度。

5.如權利要求1所述的3D快閃存儲器件，其中，電壓發(fā)生器還被構造為在擦除操作期間生成第二多個不同的擦除電壓并將所述第二多個不同的擦除電壓分別施加到所述第二數(shù)目的字線中的每一字線。

6.如權利要求5所述的3D快閃存儲器件，其中，所述第二多個不同的擦除電壓當中的第三擦除電壓被施加到所述第二數(shù)目的字線中的與第一串選擇線和第二串選擇線相鄰的一字線，

所述第二多個不同的擦除電壓當中的第四擦除電壓被施加到所述第二數(shù)目的字線中的與所述最高主字線相鄰的另一字線，以及

第三擦除電壓的電平大于第四擦除電壓的電平。

7.一種操作具有沿垂直于襯底的方向排列的多個單元串的三維(3D)快閃存儲器件的方法，該方法包括：

在編程操作期間，使用包括第一數(shù)目的字線而且被布置在地選擇線和最低主字線之間的第一偽字線，并且使用包括不同于第一數(shù)目的第二數(shù)目的字線而且被布置在串選擇線和最高主字線之間的第二偽字線，以減少編程禁止單元的升壓溝道與位線之間存在的第一電場(Es)和升壓溝道與公共源極線之間存在的第二電場(Eg)之間的電場差(Es-Eg)，

其中，第一偽字線和第二偽字線、所述地選擇線、所述最低主字線、所述串選擇線、所述最高主字線、所述位線和所述公共源極線連接到所述多個單元串，

在擦除操作期間，將多個不同的擦除電壓分別施加到第一數(shù)目的字線中的每一字線，

其中，所述多個不同的擦除電壓當中的第一擦除電壓被施加到第一數(shù)目的字線中的與所述最低主字線相鄰的一字線，

所述多個不同的擦除電壓當中的第二擦除電壓被施加到第一數(shù)目的字線中的與所述地選擇線相鄰的另一字線，以及

第一擦除電壓的電平大于第二擦除電壓的電平。

8.如權利要求7所述的方法，其中，在編程操作期間，所述編程禁止單元公共地連接到與正在被編程的編程單元相同的字線和相同的位線。

9.如權利要求7所述的方法，還包括：

在擦除操作期間，將第二多個不同的擦除電壓分別施加到所述第二數(shù)目的字線中的每一字線。