[發明專利]一種質量校準物離子化與引入裝置

在審

• 申請號: 201410192978.2
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN105097412A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 王睿;張小強;沈嘉祺;金嶠;孫文劍
• 申請（專利權）人: 島津分析技術研發（上海）有限公司
• 主分類號: H01J49/06
• 分類號: H01J49/06;H01J49/10
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，包括：

用于質量校準物離子化的至少一第一離子源；

用于分析物離子化的至少一第二離子源；

用于每個離子源的獨立真空接口裝置；以及

至少一離子導引區域，所述離子導引區域用于導引所述質量校準物離子及分析物離子進入與所述離子導引區域連接的質量檢測分析區域；

其中，所述第一離子源處于低于大氣壓的環境，所述第二離子源處于大氣壓環境；其中，所述第一離子源及第二離子源分別通過所述獨立的真空接口裝置將質量校準物和分析物引入離子導引區域。

2.根據權利要求1所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述低于大氣壓的環境為內部氣壓低于大氣壓的預設腔室。

3.根據權利要求2所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述預設腔室設有用于啟動或停止所述質量校準物離子向所述離子導引區域運送的控制閥。

4.根據權利要求2所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，包括：連通于所述預設腔室及離子導引區域的作為所述真空接口裝置的離子導引器件。

5.根據權利要求4所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述離子導引器件包括：離子漏斗、多極桿離子導引裝置、Q-陣列導引器及行波導引裝置中的一種或者組合。

6.根據權利要求2所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，連接有質量校準物樣品解吸附裝置，所述質量校準物樣本解吸附裝置包括：大氣壓環境下裝載所述質量校準物的樣本臺，用于將所述質量校準物解吸附為氣態離子、氣態分子或氣溶膠形式的解吸附源，以及將解吸附后的質量校準物送入所述預設腔室的導引裝置；所述第一離子源設于所述預設腔室內，用于將所述送入的質量校準物處理成質量校準物離子。

7.根據權利要求6所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述解吸附的方式包括：激光、電噴霧、電暈束、加熱及聲波中的一種或者組合。

8.根據權利要求1或2所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述第一離子源包括多個納升電噴霧裝置。

9.根據權利要求8所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述多個納升電噴霧裝置分分別對應于不同類型的質量校準物，所述各類型分別對應不同的質量范圍。

10.根據權利要求8所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述多個納升電噴霧裝置對應有至少一個真空接口裝置，所述至少一個真空接口裝置連通至同一所述離子導引區域。

11.根據權利要求1所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述第一離子源與第二離子源各自連接的所述真空接口裝置設置成：使各真空接口裝置的出口處的中軸線間夾角為0～90度。

12.根據權利要求2所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述第一離子源為至少兩個，分別對應于不同類型的質量校準物，所述各類型分別對應不同的質量范圍。

13.根據權利要求1所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述離子導引區域為至少兩個，所述第一離子源及第二離子源分別連接不同的離子導引區域。

14.根據權利要求1所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述處于低于大氣壓環境下的第一離子源包括：電噴霧離子源、輝光放電離子源、解吸附電暈束離子源、介質阻擋放電離子源、化學電離離子源、電暈放電離子源、激光解吸附離子源及光電離離子源中的一種或者組合；所述處于大氣壓環境下的第二離子源包括：電噴霧離子源、解吸附電暈束離子源、介質阻擋放電離子源、化學電離離子源、電暈放電離子源、激光解吸附離子源、輝光放電離子源及光電離離子源中的一種或者組合。

15.根據權利要求1所述的質量校準物離子化與引入裝置，其特征在于，所述的離子導引區域中包括至少一個離子導引裝置，所述離子導引裝置包括：離子漏斗、多極桿離子導引裝置、Q-陣列導引器及行波導引裝置中的一種或者組合。