[發明專利]一種鰭片場效應晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201410192918.0
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN105097530A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 何昭文;袁俊;鄭召星
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種鰭片場效應晶體管的制作方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成鰭片結構；

在所述鰭片結構上形成外延層；

在所述外延層上形成柵極結構。

2.根據要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述柵極結構之后采用注入工藝或者熱擴散工藝以形成源漏極的步驟。

3.根據要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述柵極結構之后刻蝕去除位于所述柵極結構兩側的所述外延層的步驟。

4.根據要求3所述的方法，其特征在于，還包括在刻蝕去除所述柵極結構兩側的所述外延層之后采用外延生長工藝以形成源漏極的步驟。

5.根據要求4所述的方法，其特征在于，還包括在執行所述外延生長工藝的同時執行原位摻雜的步驟。

6.根據要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構為高K金屬柵極結構。

7.根據要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蝕為干法刻蝕或者濕法刻。

8.根據要求1所述的方法，其特征在于，所述外延層的材料為SiGe或者SiC。

9.根據要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述外延層的同時對所述外延層執行原位摻雜的步驟。

10.根據要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述鰭片結構之后在所述半導體襯底上所述鰭片結構的兩側形成隔離結構的步驟。

11.一種鰭片場效應晶體管，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底上的鰭片結構；

位于所述鰭片結構上的第一外延層；

位于所述第一外延層上的柵極結構；

其中，位于所述柵極結構下方的所述第一外延層為溝道。

12.根據要求11所述的鰭片場效應晶體管，其特征在于，還包括位于所述半導體襯底上所述鰭片結構兩側的隔離結構。

13.根據要求11所述的鰭片場效應晶體管，其特征在于，還包括位于所述鰭片結構上所述柵極結構兩側的源漏極。

14.根據要求13所述的鰭片場效應晶體管，其特征在于，采用注入工藝或者熱擴散工藝處理位于所述柵極結構兩側的所述第一外延層以形成所述源漏極。

15.根據要求13所述的鰭片場效應晶體管，其特征在于，還包括位于所述鰭片結構上所述柵極結構兩側的第二外延層，采用原位摻雜工藝處理所述第二外延層以形成所述源漏極。

16.根據要求11所述的鰭片場效應晶體管，其特征在于，所述柵極結構為高K金屬柵極結構。

17.根據要求11所述的鰭片場效應晶體管，其特征在于，所述第一外延層的材料為SiGe或者SiC。