[發明專利]用于檢查多晶硅層的方法

有效

• 申請號: 201410192878.X
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN104215611B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 亞歷山大·烏若諾夫;李奭浩;柳裁勝;許京會;韓圭完
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G01N21/63
• 分類號: G01N21/63
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

一種用于檢查多晶硅層的方法，包括：將激發光照射在該多晶硅層上；以及通過激發光檢測在多晶硅層中產生的光致發光信號，其中該激發光具有1W/cm²至10W/cm²的范圍內的平均功率，以及100W/cm²至1000W/cm²的范圍內的峰值功率。

技術領域

所描述的技術概括地涉及檢查多晶硅層的方法。更具體地，所描述的技術涉及用于檢查多晶硅層的結晶度和/或晶體結構的方法。

背景技術

大多數平板顯示裝置，諸如有機發光二極管(OLED)顯示器、液晶顯示器(LCD)等均包括薄膜晶體管。具體地，具有高載流子遷移率的低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)可適用于高速運行的電路并且可用于CMOS電路，因此LPTS TFT被廣泛使用。

LTPS TFT包括通過對非晶硅膜結晶化而形成的多晶硅膜。用于使非晶硅膜結晶化的方法包括固相結晶化、準分子激光束結晶化和金屬催化劑結晶化。

激光束結晶化被廣泛使用是因為相對來講其是低溫度工藝，該工藝減少基底的熱形變并且可用于產生具有優異的載流子遷移率的多晶硅層。

為了確定多晶硅層是否被適當地結晶化，光被照射在多晶硅層上，并且對多晶硅層放出的光進行分析，以便確定多晶硅層是否存在瑕疵。

為了適當地確定瑕疵的存在性，被照射在多晶硅層上的激發光的強度通常相對較高，而在這種情況下，可能會損壞薄膜多晶硅層。

在本背景技術部分公開的以上信息僅僅是為了增強對所描述的技術背景的理解，因此其可以包含不構成現有技術的信息。

發明內容

本發明的示例性實施方式提供了用于檢查多晶硅層的高效方法而不會損壞薄膜多晶硅層。

本發明的附加特征將在以下的說明書中提出，并且本發明的部分附加技術特征將通過說明書變得顯而易見，或者可通過實踐本發明而獲悉。

本發明的示例性實施方式提供了用于檢查多晶硅層的方法，該方法包括將激發光照射在多晶硅層上以及對通過該激發光產生的光致發光信號進行檢測。

應該理解，前述概括說明和以下的詳細說明是示例性的和解釋性的，并旨在提供對權利要求限定的本發明的進一步解釋。

附圖說明

為進一步理解本發明所包含的并且被并入且構成說明書的一部分提供了附圖，附圖示出了本發明的示例性實施方式，并且與說明書一起來解釋本發明的原理。

圖1示出了根據示例性實施方式的、用于檢查多晶硅層的方法的示意圖。

圖2示出了通過拍攝對由一個示例性實施方式獲得的光致發光信號PL的結果進行檢查所獲取的圖像。

圖3示出了通過拍攝對由一個示例性實施方式獲得的光致發光信號PL的結果進行檢查所獲取的圖像。

具體實施方式

在下文中將參照附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例性實施方式。本領域技術人員應該領會，所描述的實施方式可以在不偏離本發明的精神或范圍的情況下以各種不同的方式修改。

而且，與描述不相關的部分被省略以便于清楚地描述示例性實施方式，在整個說明書中相同的參考標號指示相同的元件和相似的構成元件。

在附圖中，部件的尺寸和厚度僅示出用于解釋的方便，并因此本發明不必限于本文所描述和示出的圖示。

在附圖中，為清楚起見，層、膜、面板、區域等的厚度被夸大。應該理解，當諸如層、膜、區域或基底的元件被稱為“在”另一元件上時，其可直接在另一元件上或還可存在插入的元件。