[發(fā)明專(zhuān)利]用于檢查多晶硅層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410192878.X
• 申請(qǐng)日: 2014-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104215611B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 亞歷山大·烏若諾夫;李?yuàn)]浩;柳裁勝;許京會(huì);韓圭完
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N21/63
• 分類(lèi)號(hào): G01N21/63
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種用于檢查多晶硅層的方法，包括：

將激發(fā)光照射在所述多晶硅層上；以及

通過(guò)所述激發(fā)光檢測(cè)在所述多晶硅層中產(chǎn)生的光致發(fā)光信號(hào)，其中

所述激發(fā)光具有1W/cm²至10W/cm²的范圍內(nèi)的平均功率，以及300W/cm²至500W/cm²的范圍內(nèi)的峰值功率，以及所述多晶硅層具有1nm至300nm的范圍內(nèi)的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述激發(fā)光具有300nm至400nm的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多晶硅層被設(shè)置在基底上，所述基底包括介電材料。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，在所述多晶硅層與所述基底之間設(shè)置有絕緣層。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述絕緣層包括氧化硅層、氮化硅層、或氧化硅層和氮化硅層。

6.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述基底包括玻璃。