[發(fā)明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410192788.0
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號: CN105097677B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳金明
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制作方法，所述方法包括：

提供硅襯底；

根據(jù)預(yù)形成懸空硅層的厚度設(shè)定硅著陸節(jié)距后，圖案化所述硅襯底以形成所述懸空硅層，其中，所述懸空硅層與所述硅襯底之間通過硅著陸區(qū)相連接，所述硅著陸區(qū)位于所述懸空硅層的邊角處；

在所述懸空硅層上形成器件；

進行切割工藝，以將所述懸空硅層和硅襯底層分開，保留所述懸空硅層作為所述器件的襯底，其中，進行所述切割時，切割線要避開硅著陸區(qū)，以去除所述硅著陸區(qū)并使所述懸空硅層和所述硅襯底分開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若預(yù)形成所述懸空硅層的厚度較大，則設(shè)定較大的硅著陸節(jié)距。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述較大的硅著陸節(jié)距包括一個或多個曝光單元的大小。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述曝光單元同時曝光數(shù)個晶粒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若所述懸空硅層的厚度比較小時，則設(shè)定較小的硅著陸節(jié)距。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述較小的硅著陸節(jié)距包括一個晶粒的大小。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述懸空硅層的制作方法選自等離子體同向刻蝕超薄埋氧層技術(shù)、注氫氦技術(shù)或真空介質(zhì)埋層技術(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件包括用標準MOS工藝制作的MOSFET器件。

9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述方法制作的半導體器件，其特征在于，所述方法不包括研磨減薄步驟。

10.一種電子裝置，其包括權(quán)利要求9所述的半導體器件。