[發明專利]低功耗SRAM單元電路結構有效
| 申請號： | 201410192216.2 | 申請日： | 2014-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN103971733B | 公開（公告）日： | 2017-04-05 |
| 發明（設計）人： | 張建杰;張泳培 | 申請（專利權）人： | 蘇州無離信息技術有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 劉懿 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市吳中區吳中*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功耗 sram 單元 電路 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種低功耗SRAM單元電路結構，其特征在于：包括由四個MOS管構成的鎖存器（1），所述鎖存器（1）兩側為門控管（2），鎖存器（1）一端通過一寫字線管（5）連接電源，另一端通過一反信號管（6）接地。
2.根據權利要求1所述的低功耗SRAM單元電路結構，其特征在于：還包括第一讀取管（3）、第二讀取管（4），所述第二讀取管（4）接地，第二讀取管（4）柵極連接于所述一側的門控管（2）與鎖存器（1）之間，所述第一讀取管的柵極連接于讀字線RWL上，第一讀取管的漏極連接于讀位線RBL上。
3.根據權利要求1所述的低功耗SRAM單元電路結構，其特征在于：所述寫字線管（5）為PMOS管，所述反信號管（6）為NMOS管。
4.根據權利要求2所述的低功耗SRAM單元電路結構，其特征在于：所述第一讀取管（3）、第二讀取管（4）為NMOS管。
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