[發明專利]有機發光二極管顯示器在審
| 申請號: | 201410191187.8 | 申請日: | 2014-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN104143561A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發明(設計)人: | 李在容;郭源奎 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;陰亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
相關申請的引用
本申請要求于2013年5月9日向韓國知識產權局提交的第10-2013-0052586號韓國專利申請的優先權和權益,所述申請的全部內容通過援引并入本文。
背景
領域
公開的技術涉及有機發光二極管(OLED)顯示器,并且更具體地,涉及與有機發光二極管(OLED)顯示器相關的裝置、系統和方法。更具體地,公開的技術涉及具有靜電放電保護的有機發光二極管顯示器。
相關技術的描述
有機發光二極管(OLED)顯示器包括提供像素區、外圍區和薄膜封裝(TFE)層的襯底,所述薄膜封裝(TFE)層通過交替沉積用于封裝的有機層和無機層來封裝所述OLED顯示器的襯底。
在像素區中,形成在掃描線與數據線之間連接的矩形式OLED以包括至少一個像素。OLED包括陽極、陰極和在所述陽極和所述陰極之間形成的有機發射層。OLED顯示器的外圍區包括掃描端、數據端、用于有機發光二極管(OLED)運行的供電線、掃描驅動器和數據驅動器。掃描端和數據端從掃描線和數據線延伸。掃描驅動器和數據驅動器包括將由外部提供的信號轉換成掃描端的掃描信號和和數據端的數據信號以選擇每一像素的驅動電路。掃描驅動器和數據驅動器在有機發光二極管(OLED)的制造過程中形成,或制造成額外的集成合電路芯片(驅動芯片)并安置于襯底。
在有機發光二極管(OLED)顯示器中,由于襯底由玻璃形成,所以在制造過程或使用中頻繁產生靜電放電(ESD)。更具體地,因為在外圍區形成驅動電路,靜電放電可以容易地流入。如此,損壞驅動電路的半導體層和柵極絕緣層,并且柵極和數據線之間的短路產生誤操作或損壞。
為了保護驅動電路免于靜電放電,開發出由與驅動電路的陽極相同的材料形成的屏蔽層。屏蔽層通過供電線與公共電源或接地電源連接。然而,因為在保護層上形成屏蔽層,所以屏蔽層易于因熱而膨脹或收縮。這種應力能夠傳輸至薄膜封裝層使得薄膜封裝層易于受損。
在該背景部分中公開的上述信息僅用于增加對公開技術的理解,因此,其可能包括不形成本領域普通技術人員在該國家已知的現有技術的信息。
某些發明方面的概述
公開的技術涉及有機發光二極管(OLED)顯示器,其防止來自屏蔽層的熱膨脹和收縮而對薄膜封裝層的損壞。
公開技術的示例性實施方案的有機發光二極管(OLED)顯示器包括:包括像素區和外圍區的襯底;在像素區上形成的有機發光二極管(OLED);在外圍區上形成并驅動所述有機發光二極管(OLED)的驅動電路;由與第一電極相同的層形成的屏蔽層;以及與所述屏蔽層連接并向所述屏蔽層傳輸屏蔽電壓的第一屏蔽電壓線。外圍區圍繞所述像素區。有機發光二極管(OLED)包括第一電極、有機發射層和第二電極。屏蔽層包括多個子屏蔽層,并且覆蓋所述驅動電路以防止外部靜電放電。
在有機發光二極管(OLED)顯示器的另一示例性實施中,第一屏蔽電壓線可以與多個子屏蔽層的每一個的一個端連接。
在有機發光二極管(OLED)顯示器的另一示例性實施中,第二屏蔽電壓線與多個子屏蔽層的每一個的另一端連接。
在有機發光二極管(OLED)顯示器的另一示例性實施中,第一屏蔽電壓線在外圍區的邊緣上形成并且具有保護環形狀。
在有機發光二極管(OLED)顯示器的另一示例性實施中,在襯底上的外圍區形成周圍半導體層,在所述周圍半導體層上形成柵極絕緣層,在所述柵極絕緣層上形成周圍柵極電極,在所述周圍柵極電極上形成層間絕緣層,在所述層間絕緣層上形成周圍源極和周圍漏極,在所述層間絕緣層上形成第一屏蔽電壓線,以及保護層。周圍源極和周圍漏極通過在層間絕緣層形成的接觸孔與周圍半導體層連接。保護層覆蓋周圍源極、周圍漏極和第一屏蔽電壓線。在保護層上形成屏蔽層和第一電極。
在有機發光二極管(OLED)顯示器的另一示例性實施中,在層間絕緣層上形成第二屏蔽電壓線。
在有機發光二極管(OLED)顯示器的另一示例性實施中,第一屏蔽電壓線和第二屏蔽電壓線與公共電源或接地電源連接。
在有機發光二極管(OLED)顯示器的另一示例性實施中,即示例性實施方案的有機發光二極管(OLED)顯示器中,屏蔽層被分成多個子屏蔽層以使由屏蔽層的熱膨脹和收縮而產生的應力降低。因此,防止薄膜封裝層的破裂。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





