[發明專利]有機發光二極管顯示器在審
| 申請號: | 201410191187.8 | 申請日: | 2014-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN104143561A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發明(設計)人: | 李在容;郭源奎 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;陰亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
1.有機發光二極管(OLED)顯示器,其包括:
包括像素區和外圍區的襯底,所述外圍區圍繞所述像素區;
在所述像素區形成并包括第一電極、有機發射層和第二電極的OLED;
在所述外圍區形成的驅動電路并配置為驅動所述OLED;
由與所述第一電極相同的層形成并且覆蓋所述驅動電路的屏蔽層,所述屏蔽層包括多個子屏蔽層;以及
與所述屏蔽層連接并向所述屏蔽層傳輸屏蔽電壓的第一屏蔽電壓線。
2.如權利要求1所述的顯示器,其中所述第一屏蔽電壓線與每一所述子屏蔽層的一端連接。
3.如權利要求2所述的顯示器,其還包括與所述每一子屏蔽層的另一端連接的第二屏蔽電壓線。
4.如權利要求3所述的顯示器,其中所述第一屏蔽電壓線在所述外圍區的邊緣上形成并且具有保護環形狀。
5.如權利要求4所述的顯示器,其還包括:
在所述襯底上的所述外圍區形成的周圍半導體層;
在所述周圍半導體層上形成的柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成的周圍柵極;
在所述周圍柵極上形成的層間絕緣層;
在所述層間絕緣層上形成并通過在所述層間絕緣層形成的接觸孔與所述周圍半導體層連接的周圍源極和周圍漏極;
在所述層間絕緣層上形成的第一屏蔽電壓線;以及
覆蓋所述周圍源極、周圍漏極和第一屏蔽電壓線的保護層,
其中在所述保護層上形成所述屏蔽層和所述第一電極。
6.如權利要求5所述的顯示器,其還包括在所述層間絕緣層上形成的第二屏蔽電壓線。
7.如權利要求6所述的顯示器,其中所述第一屏蔽電壓線和所述第二屏蔽電壓線與公共電源或接地電源連接。
8.如權利要求5所述的顯示器,其中所述第二屏蔽電壓線通過在所述保護層中形成的至少一接觸孔與所述多個子屏蔽層的每一個的另一端連接。
9.如權利要求5所述的顯示器,其中所述保護層還包括至少一暴露所述周圍源極、所述周圍漏極和所述第一屏蔽電壓線的預定部分的通孔。
10.如權利要求1所述的顯示器,其中所述屏蔽層還包括多個孔。
11.如權利要求1所述的顯示器,其還包括在所述像素區和所述外圍區至少之一上形成的緩沖層。
12.如權利要求1所述的顯示器,其還包括在所述像素區上形成的像素限定層,所述像素限定層包括暴露一部分所述第一電極的開口。
13.如權利要求1所述的顯示器,其中所述屏蔽層由與所述驅動電路陽極的材料相同的材料形成。
14.如權利要求1所述的顯示器,其中所述第一電極還包括紅色第一電極、綠色第一電極和藍色第一電極中至少之一。
15.如權利要求1所述的顯示器,還包括在所述像素區中形成的至少一驅動薄膜晶體管,所述至少一驅動薄膜晶體管還包括:
包括源區、漏區和通道區的像素半導體層;
與所述源區和所述漏區連接的像素源極和像素漏極;以及
在所述通道區上形成并與所述像素半導體層絕緣的像素柵極。
16.如權利要求15所述的顯示器,其中所述像素柵極通過在所述外圍區中形成的柵極絕緣層與所述像素半導體層絕緣。
17.有機發光二極管(OLED)顯示器,其包括:
包括像素區和外圍區的襯底,所述外圍區圍繞所述像素區,
在所述像素區形成并包括第一電極、有機發射層和第二電極的OLED;
在所述外圍區形成的驅動電路并配置為驅動所述OLED;以及
由與所述第一電極相同的層形成并且覆蓋所述驅動電路的屏蔽層,所述屏蔽層包括多個子屏蔽層和多個孔。
18.如權利要求17所述的顯示器,其中所述屏蔽層由與所述驅動電路陽極的材料相同的材料形成。
19.如權利要求17所述的顯示器,其還包括在所述像素區中形成的至少一驅動薄膜晶體管,所述至少一驅動薄膜晶體管還包括:
像素半導體層;
包括源區、漏區和通道區的像素源極;
與所述源區和所述漏區連接的像素漏極;以及
在所述通道區上形成并與所述像素半導體層絕緣的像素柵極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410191187.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





