[發明專利]一種窄分子量分布聚硅氧烷的制備方法

有效

• 申請號: 201410191086.0
• 申請日: 2014-04-29
• 公開（公告）號: CN103980495B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 孔杰;周冬;凌君;駱春佳;于震;黃勇
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C08G77/20
• 分類號: C08G77/20;C08G77/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種聚硅氧烷，特別是一種窄分子量分布聚硅氧烷，還涉及這種窄分子量分布聚硅氧烷的制備方法。?

背景技術

聚硅氧烷用作生產高溫硫化硅橡膠(HTV)的基料，配以交聯劑、補強劑、著色劑、結構控制劑、耐老化劑等混煉制備高溫硫化硅橡膠生膠；乙烯基硅油用于制作液體硅橡膠，是注射熱成型硅橡膠的主要材料；乙烯基硅油本品與聚氨酯、丙烯酸等多種有機材料反應，可制成性能更優越(耐候、耐老化、抗紫外線、增強韌性等)的新材料(如涂料是生產各種涂料及改性硅油等產品的重要原料)。?

隨著聚硅氧烷的應用需求量日益增大，需要不同分子量分布的聚硅氧烷滿足市場需求。盡管現在生產聚硅氧烷的廠家很多，但主要有兩個生產目的，一個目的是為了性能而生產分布較窄的聚硅氧烷，另一個目的是為了加工生產分布較寬的聚硅氧烷。但目前市面上的聚硅氧烷分子量分布都相對較寬(Mw/Mn＞1.2)，本實驗方案很好的解決了這一問趣，可以得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)極窄的聚硅氧烷，且分子量在3000～30000可調。?

發明內容

為了解決現有聚硅氧烷分子量分布較寬的問題，本發明提供了一種窄分子量分布聚硅氧烷的制備方法，得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)極窄的聚硅氧烷，且分子量在3000～30000可調。?

本發明所采用的技術方案如下：?

一種窄分子量分布聚硅氧烷的制備方法，其方法為：通過改變1，3，5-三乙烯基-1，3，5-三甲基環三硅氧烷(VD₃)和陰離子引發劑的投料比，調整反應時間及反應溫度，控制單體的轉化率，結合陰離子開環聚合的優勢，開環聚合可制備得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)極窄的聚硅氧烷，分子量在3000～30000可調。?

進一步地，上述制備方法具體為：向20ml的安倍瓶加入VD₃單件0.5～2.0ml溶劑單體，然后加入新蒸四氫呋喃1.4ml，攪拌約20～30min，在冰水浴中恒定溫度，加入正丁基鋰溶液0.1～0.6ml達到預定反應時間后，用無水冰甲醇沉淀出聚合物。?

進一步地，上述制備方法，包括下述步驟：?

(a)向100ml的schlenk瓶中加入50ml?VD₃單體，然后于80℃條件下加入1g氫化鈣粉末，攪拌約24h，待水分充分除凈后，減壓蒸餾得到新蒸的無水VD3單體。?

(b)將2.4mol/L的正丁基鋰溶液(正己烷)稀釋為0.3mol/L，于氬氣氛中保存于Schlenk瓶。?

(c)向20ml的安倍瓶加入步驟(a)中的VD₃單體Xml(X＝0.5～2.0)溶劑單體，然后加入新蒸四氫呋喃1.4ml，攪拌約20-30min，在冰水浴中恒定溫度，加入步驟(b)中正丁基鋰溶液Yml(Y＝0.1～0.6)達到預定反應時間后，用無水冰甲醇沉淀出聚合物。?

本發明的有益效果是：由于陰離子開環聚合過程中，單體引發劑投料比可調、反應溫度可調、反應時間可控，可以通過控制單體轉化率，得到分子量分布極窄、分子量可調的聚硅氧烷。?

附圖說明

圖1為本發明實施例1中的窄分子量分布聚硅氧烷的FT-IR譜圖。?

圖2為本發明實施例1中的窄分子量分布聚硅氧烷的核磁圖。?

圖3為本發明實施例1、2、3、4中的窄分子量分布聚硅氧烷的GPC/RI圖。?

圖4為本發明實施例1、2、3、4中的窄分子量分布聚硅氧烷的GPC/LS圖。?

圖中標記說明：圖3、圖4中中的1，2，3，4分別代表分子量為5000，10000，15000，20000的窄分子量分布聚硅氧烷。?

具體實施方式

下面結合具體實施方式對本發明作詳細說明。?

實施例1?

本發明實施例中的窄分子量分布聚硅氧烷的制備方法，其步驟為：向20ml的安倍瓶加入VD₃單體1.6ml溶劑單體，然后加入新蒸四氫呋喃1.4ml，攪拌約20min，在冰水浴中恒定溫度，加入正丁基鋰溶液0.46ml，達到預定反應時間后，用無水冰甲醇沉淀出聚合物。?

圖1為本發明實施例1中的窄分子量分布聚硅氧烷的FT-IR譜圖。圖2為本發明實施例1中的窄分子量分布聚硅氧烷的核磁圖。圖3中標注為1的曲線為本發明實施例中的窄分子量分布聚硅氧烷的GPC/RI圖。圖4中標注為1的曲線為本發明實施例中的窄分子量分布聚硅氧烷的GPC/LS圖。?