[發(fā)明專利]一種改善EMI和開(kāi)關(guān)雜訊的電路及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410190435.7
• 申請(qǐng)日: 2014-05-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105099163B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳建興;陳政佑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/44
• 分類號(hào): H02M1/44
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219
• 代理人: 李儀萍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電源電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別是涉及一種改善EMI和開(kāi)關(guān)雜訊的電路及方法。

背景技術(shù)

集成電路發(fā)展至今，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，而且各模塊的工作電壓不一致，所以必須要運(yùn)用內(nèi)部的電源電路將外部電源電壓轉(zhuǎn)換為適用于各模塊的工作電壓，電源電路需要滿足輸出電壓穩(wěn)定、紋波小等要求，作為集成電路中不可或缺的一部分，電源電路的設(shè)計(jì)也越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)其性能要求也越來(lái)越高。

開(kāi)關(guān)電源是目前運(yùn)用比較多的電源電路，開(kāi)關(guān)電源電路中利用功率管作為開(kāi)關(guān)，通過(guò)控制功率管導(dǎo)通和截止的時(shí)間比率來(lái)維持穩(wěn)定的輸出電壓。理想的二極管在承受反向電壓時(shí)截止，不會(huì)有反向電流通過(guò)，而實(shí)際二極管正向?qū)〞r(shí)，PN結(jié)內(nèi)的電荷被積累，當(dāng)二極管承受反向電壓時(shí)，PN結(jié)內(nèi)積累的電荷將釋放并形成一個(gè)反向恢復(fù)電流，它恢復(fù)到零點(diǎn)的時(shí)間與結(jié)電容等因素有關(guān)。功率管的反向恢復(fù)特性將產(chǎn)生較強(qiáng)烈的高頻衰減振蕩，該振蕩包括過(guò)充脈沖和過(guò)放脈沖，控制功率管導(dǎo)通和截止的門驅(qū)動(dòng)控制器的電流越強(qiáng)，開(kāi)關(guān)的切換速度越快，而開(kāi)關(guān)切換速度越快，振蕩的幅度越大。開(kāi)關(guān)信號(hào)中的高頻振蕩即為開(kāi)關(guān)雜訊(開(kāi)關(guān)噪聲)，會(huì)導(dǎo)致電源系統(tǒng)受EMI(Electromagnetic Interference)影響，大大影響電源電路的性能。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中開(kāi)關(guān)電源電路1包括門驅(qū)動(dòng)控制器11，所述門驅(qū)動(dòng)控制器11產(chǎn)生兩組控制信號(hào)GDRP及GDRN，控制信號(hào)GDRP控制PMOS12給功率管14的柵極充電，控制信號(hào)GDRN控制NMOS13給功率管14的柵極放電，通過(guò)該充、放電過(guò)程產(chǎn)生的所述功率管14的門電壓Gate，如圖2(a)所示，所述門電壓Gate為方波。門電壓Gate控制功率管14的導(dǎo)通和截止，由于功率管14的導(dǎo)通特性，功率管的輸出信號(hào)SW會(huì)帶有兩端波動(dòng)，分別為過(guò)充脈沖和過(guò)放脈沖，如圖2(b)所示，功率管的輸出信號(hào)SW的上升沿和下降沿的末端分別有一定幅度的高頻振蕩。功率管的輸出信號(hào)SW通過(guò)負(fù)載15輸出穩(wěn)定的電壓作為后續(xù)電路的工作電壓。

為了確保電源電路的性能，需要電源電路符合EMI規(guī)范，EMI規(guī)范是對(duì)系統(tǒng)能量所產(chǎn)生的頻譜進(jìn)行掃描，對(duì)于不同的頻帶有不同能量大小的限制。功率管的輸出信號(hào)SW為固定頻率的方波信號(hào)加上過(guò)充脈沖和過(guò)放脈沖，由理論可知方波的傅立葉變換高頻成份很大，加上過(guò)充脈沖和過(guò)放脈沖后就會(huì)超出EMI規(guī)范。所以如果能將過(guò)充脈沖和過(guò)放脈沖變小那么就可以符合EMI規(guī)范，但是直接抑制開(kāi)關(guān)信號(hào)中的過(guò)充脈沖和過(guò)放脈沖，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)電源電路系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率降低。

為了使電源電路符合EMI規(guī)范，現(xiàn)有技術(shù)中提出兩種改進(jìn)方案：實(shí)現(xiàn)軟切換或者減慢切換頻率。但是軟切換的架構(gòu)相對(duì)比較復(fù)雜，而且比較耗電，而減慢切換頻率容易造成比較大的開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)致效率降低。

所以如何在電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、系統(tǒng)效率不受影響、開(kāi)關(guān)損耗盡量小的前提下優(yōu)化電源電路，減小功率管的輸出信號(hào)SW中的過(guò)充脈沖和過(guò)放脈沖，進(jìn)而改善電源電路中的EMI和開(kāi)關(guān)雜訊，使電源電路符合EMI規(guī)范是電源電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種改善EMI和開(kāi)關(guān)雜訊的電路及方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中開(kāi)關(guān)雜訊及EMI影響電路性能的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種改善EMI和開(kāi)關(guān)雜訊的電路，所述改善EMI和開(kāi)關(guān)雜訊的電路至少包括：

門驅(qū)動(dòng)控制器，充電電流比例化電路，放電電流比例化電路以及功率管；

所述門驅(qū)動(dòng)控制器用于產(chǎn)生控制所述充電電流比例化電路和所述放電電流比例化電路的兩組控制信號(hào)；

所述充電電流比例化電路通過(guò)所述門驅(qū)動(dòng)控制器產(chǎn)生的控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)充電電流的總和，以此控制電源端供應(yīng)電流的能力；

所述放電電流比例化電路通過(guò)所述門驅(qū)動(dòng)控制器產(chǎn)生的控制信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)放電電流的總和，以此控制接地端汲取電流的能力；

所述充電電流比例化電路與所述放電電流比例化電路連接在一起，并將輸出信號(hào)連接于所述功率管的柵極，通過(guò)所述充電電流比例化電路與所述放電電流比例化電路輸出的信號(hào)控制所述功率管的導(dǎo)通和關(guān)閉。

優(yōu)選地，所述充電電流比例化電路由1個(gè)及以上PMOS并聯(lián)組成，各所述PMOS的柵端分別連接于所述門驅(qū)動(dòng)控制器輸出的控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述放電電流比例化電路由1個(gè)及以上NMOS并聯(lián)組成，各所述NMOS的柵端分別連接于所述門驅(qū)動(dòng)控制器輸出的控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述功率管為NMOS或PMOS。