[發明專利]一種改善EMI和開關雜訊的電路及方法有效
| 申請號： | 201410190435.7 | 申請日： | 2014-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN105099163B | 公開（公告）日： | 2017-12-19 |
| 發明（設計）人： | 吳建興;陳政佑 | 申請（專利權）人： | 中航（重慶）微電子有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/44 | 分類號： | H02M1/44 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 401331 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 emi 開關 雜訊 電路 方法 | ||
1.一種改善EMI和開關雜訊的電路，其特征在于，所述改善EMI和開關雜訊的電路至少包括：
門驅動控制器，充電電流比例化電路，放電電流比例化電路以及功率管；
所述門驅動控制器用于產生控制所述充電電流比例化電路和所述放電電流比例化電路的兩組控制信號；
所述充電電流比例化電路通過所述門驅動控制器產生的控制信號來調節充電電流的總和，以此控制電源端供應電流的能力；
所述放電電流比例化電路通過所述門驅動控制器產生的控制信號來調節放電電流的總和，以此控制接地端汲取電流的能力；
所述充電電流比例化電路與所述放電電流比例化電路連接在一起，并將輸出信號連接于所述功率管的柵極，通過所述充電電流比例化電路與所述放電電流比例化電路輸出的信號控制所述功率管的導通和關閉。
2.根據權利要求1所述的改善EMI和開關雜訊的電路，其特征在于：所述充電電流比例化電路由1個及以上PMOS并聯組成，各所述PMOS的柵端分別連接于所述門驅動控制器輸出的控制信號。
3.根據權利要求1所述的改善EMI和開關雜訊的電路，其特征在于：所述放電電流比例化電路由1個及以上NMOS并聯組成，各所述NMOS的柵端分別連接于所述門驅動控制器輸出的控制信號。
4.根據權利要求1所述的改善EMI和開關雜訊的電路，其特征在于：所述功率管為NMOS或PMOS。
5.一種改善EMI和開關雜訊的方法，其特征在于，所述改善EMI和開關雜訊的方法至少包括：
步驟一：利用門驅動控制器程序化充、放電電流比例；
步驟二：利用充電電流比例化電路控制功率管的門電壓上升沿的充電斜率，改善所述功率管輸出的開關信號的正源過充脈沖，同時降低正源激發的EMI能量；
步驟三：利用放電電流比例化電路控制所述功率管的門電壓下降沿的放電斜率，改善所述功率管輸出的開關信號的負源過放脈沖，同時降低負源激發的EMI能量。
6.根據權利要求5所述的改善EMI和開關雜訊的方法，其特征在于：步驟一中利用門驅動控制器動態設定充、放電電流比例。
7.根據權利要求5所述的改善EMI和開關雜訊的方法，其特征在于：步驟二中所述門電壓上升沿的變化速度由快減緩至適合的速度。
8.根據權利要求5所述的改善EMI和開關雜訊的方法，其特征在于：步驟三中所述門電壓下降沿的變化速度由快減緩至適合的速度。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換；以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
