[發明專利]一種半導體器件及其制備方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201410189140.8
• 申請日: 2014-05-06
• 公開（公告）號: CN105097705A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 陳亮;仇圣棻
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體器件的制備方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括中心區域和邊緣區域，在所述半導體襯底上形成有若干浮柵結構，在相鄰的所述浮柵結構之間形成有向下延伸至所述半導體襯底中的淺溝槽隔離結構；

回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結構中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮柵結構的部分側壁；

沉積覆蓋層，以填充所述凹槽并覆蓋所述浮柵結構；

濕法蝕刻去除部分所述覆蓋層，以使所述浮柵結構之間的淺溝槽隔離結構具有相同的厚度并再次露出所述浮柵結構的部分側壁。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在回蝕刻去除所述淺溝槽隔離結構中的部分氧化物的步驟中，所述中心區域剩余的氧化物的厚度大于所述邊緣區域剩余的氧化物的厚度。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，去除部分所述覆蓋層的方法包括：

完全去除位于所述中心區域的所述覆蓋層，以露出所述淺溝槽隔離結構中的所述氧化物；

去除部分位于所述邊緣區域的所述覆蓋層，以使剩余的所述覆蓋層的高度與所述中心區域的所述氧化物的高度相同。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，選用地毯式干法蝕刻去除所述淺溝槽隔離結構中的部分氧化物。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層選用氧化物。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，選用高深寬比工藝或者流體化學氣相沉積的方法沉積所述覆蓋層。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述覆蓋層之后，還進一步包括對所述覆蓋層進行平坦化的步驟，以獲得高度一致的所述覆蓋層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述浮柵結構和淺溝槽隔離結構的方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成浮柵層和掩膜層；

圖案化所述浮柵層、所述掩膜層和所述半導體襯底，以形成若干相互隔離的浮柵結構以及位于所述浮柵結構之間的淺溝槽；

在所述淺溝槽中填充氧化物，以形成所述淺溝槽隔離結構；

去除所述掩膜層。

9.一種基于權利要求1至8之一所述的方法制備得到的半導體器件。

10.一種電子裝置，包括權利要求9所述的半導體器件。