[發明專利]用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法

有效

• 申請號: 201410187492.X
• 申請日: 2014-05-05
• 公開（公告）號: CN105097421B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 譚秀文;雷聲宏
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 汪洋,劉明霞

技術領域

本發明涉及熱處理技術領域，具體地，涉及一種用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法。

背景技術

MASSON快速熱處理機臺是一種常用熱處理設備。在該機臺上既可以進行高溫(大于900℃)熱處理工藝，也可以進行低溫(小于或等于900℃)熱處理工藝。在熱處理工藝過程中，特別是對溫度敏感的熱處理工藝過程中，熱處理機臺的溫度校準非常重要。然而，對于MASSON熱處理機臺來說，熱處理機臺的讀出溫度由高溫計提供。該高溫計位于機臺內的支撐裝置的下方，其測量的溫度與實際的熱處理基片的溫度存在一定的差異，在實際生產前，需要對MASSON快速熱處理機臺的溫度進行校準，以使熱處理基片的實際溫度與高溫計的讀出溫度能夠匹配。

因此，有必要提出用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法，以解決現有技術中存在的問題。

發明內容

為了解決現有技術中存在的問題，本發明提供一種用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法。所述方法包括：提供校準基片，所述校準基片上設置有用于測量所述校準基片的溫度的熱電偶；將所述校準基片放置在所述MASSON快速熱處理機臺內的支撐裝置上；對所述校準基片進行模擬熱處理，同時通過設置在所述支撐裝置下方的高溫計和所述熱電偶分別采集所述校準基片的讀出溫度曲線和實際溫度曲線；基于所述讀出溫度曲線和所述實際溫度曲線生成校溫曲線；以及調整所述MASSON快速熱處理機臺內的上加熱裝置和下加熱裝置的功率，對所述校溫曲線進行閉環驗證，至所述高溫計的讀出溫度曲線和所述熱電偶的實際溫度曲線在熱處理的主工藝階段匹配。

優選地，在采集所述校準基片的讀出溫度曲線和實際溫度曲線之前，所述方法包括調節所述校準基片的升溫速率，以使生成的所述校溫曲線能夠監控預定溫度范圍。

優選地，所述預定溫度范圍為450℃～800℃。

優選地，所述閉環驗證的初始溫度為180℃～250℃。

優選地，在所述閉環驗證的升溫過程中設置溫度保持平臺，其中在所述溫度保持平臺期間所述高溫計的測量溫度不變。

優選地，所述溫度保持平臺的溫度比所述熱處理的所述主工藝階段的溫度低50℃～100℃。

優選地，所述溫度保持平臺的保持時間為10秒～20秒。

優選地，所述熱處理的所述主工藝階段的溫度不高于900℃。

優選地，所述方法在進行所述閉環驗證之前還包括：對所述較溫曲線進行開環驗證，以使所述高溫計的讀出溫度曲線和所述熱電偶的實際溫度曲線的最大溫度差值小于預定值。

優選地，所述預定值為4℃～8℃。

綜上所述，根據本發明的用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法通過熱電偶測量校準基片的實際溫度并與高溫計的讀出溫度進行比較生成校準曲線，并調整上加熱裝置和下加熱裝置的功率，對該校準曲線進行閉環驗證，直至高溫計的讀出溫度曲線和熱電偶的實際溫度曲線在熱處理的主工藝階段匹配。該校準方法通過模擬實際生產過程中的基片的熱處理工藝，對溫度段進行匹配，校準結果好，且校準基片可重復利用，成本低。

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

以下結合附圖，詳細說明本發明的優點和特征。

附圖說明

本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。在附圖中，

圖1是根據本發明的一個實施例的用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法；

圖2是根據圖1的流程圖所示的方法進行溫度校準過程中MASSON快速熱處理機臺的內部結構示意圖；以及

圖3是進行閉環驗證過程中，高溫計的讀出溫度曲線與熱電偶測量的校準基片的實際溫度曲線的示意圖，其中，該閉環驗證過程中設置有溫度保持平臺。

具體實施方式

接下來，將結合附圖更加完整地描述本發明，附圖中示出了本發明的實施例。但是，本發明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發明的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚，層和區的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標記表示相同的元件。