[發明專利]用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法有效
| 申請號： | 201410187492.X | 申請日： | 2014-05-05 |
| 公開（公告）號： | CN105097421B | 公開（公告）日： | 2018-03-02 |
| 發明（設計）人： | 譚秀文;雷聲宏 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所11336 | 代理人： | 汪洋,劉明霞 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 masson 快速 熱處理 機臺 溫度 校準 方法 | ||
1.一種用于MASSON快速熱處理機臺的溫度校準的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供校準基片，所述校準基片上設置有用于測量所述校準基片的溫度的熱電偶；
將所述校準基片放置在所述MASSON快速熱處理機臺內的支撐裝置上；
對所述校準基片進行模擬熱處理，同時通過設置在所述支撐裝置下方的高溫計和所述熱電偶分別采集所述校準基片的讀出溫度曲線和實際溫度曲線；
基于所述讀出溫度曲線和所述實際溫度曲線生成校溫曲線；
對所述校溫曲線進行開環驗證，以使所述高溫計的讀出溫度曲線和所述熱電偶的實際溫度曲線的最大溫度差值小于預定值；以及
調整所述MASSON快速熱處理機臺內的上加熱裝置和下加熱裝置的功率，對所述校溫曲線進行閉環驗證，至所述高溫計的讀出溫度曲線和所述熱電偶的實際溫度曲線在熱處理的主工藝階段匹配。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在采集所述校準基片的讀出溫度曲線和實際溫度曲線之前，所述方法包括調節所述校準基片的升溫速率，以使生成的所述校溫曲線能夠監控預定溫度范圍。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預定溫度范圍為450℃～800℃。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閉環驗證的初始溫度為180℃～250℃。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述閉環驗證的升溫過程中設置溫度保持平臺，其中在所述溫度保持平臺期間所述高溫計的測量溫度不變。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述溫度保持平臺的溫度比所述熱處理的所述主工藝階段的溫度低50℃～100℃。
7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述溫度保持平臺的保持時間為10秒～20秒。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱處理的所述主工藝階段的溫度不高于900℃。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預定值為4℃～8℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
