[發(fā)明專(zhuān)利]基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法及其結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410187054.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103955582B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙立新;俞大立;柳雅琳;莊群峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06F17/50 | 分類(lèi)號(hào): | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 單元 集成電路設(shè)計(jì) 方法 及其 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,包含如下步驟:
步驟A.建立包含有若干單元塊的單元庫(kù),所述單元塊具有沿第一方向、第二方向延伸的單元區(qū)域,所述單元區(qū)域的底層包含具有有源區(qū)域、擴(kuò)散區(qū)域及柵極帶區(qū)域的MOS管區(qū)域;所述單元區(qū)域的導(dǎo)體層包含有若干導(dǎo)體、電源線(xiàn)、地線(xiàn);通過(guò)設(shè)置所述單元塊的至少一個(gè)區(qū)域因子,從而在所述單元塊中的導(dǎo)體層預(yù)留至少一條第一金屬走線(xiàn)的布線(xiàn)空間,其中,所述區(qū)域因子是所述單元塊中所述電源線(xiàn)的寬度、地線(xiàn)的寬度、導(dǎo)體的位置、導(dǎo)體的寬度、有源區(qū)域的位置、有源區(qū)域的尺寸中的一種;所述電源線(xiàn)具有第一寬度,所述地線(xiàn)具有第二寬度,設(shè)置所述第一寬度和/或第二寬度的值,以在所述單元塊中預(yù)留至少一條第一金屬走線(xiàn)的布線(xiàn)空間;
步驟B.布局至少一個(gè)所述單元塊于版圖中,對(duì)所述單元塊進(jìn)行金屬走線(xiàn)繞線(xiàn),其中,基于所述單元塊中預(yù)留的布線(xiàn)空間,在所述單元塊的內(nèi)部進(jìn)行第一金屬走線(xiàn)繞線(xiàn);
所述步驟B之后,還包括步驟C:
檢測(cè)所述第一金屬走線(xiàn)繞線(xiàn)的范圍,并基于該檢測(cè)結(jié)果,增加未布設(shè)第一金屬走線(xiàn)的所述電源線(xiàn)的寬度為第三寬度,和/或增加未布設(shè)第一金屬走線(xiàn)的所述地線(xiàn)的寬度為第四寬度,從而增加單位面積走線(xiàn)的效率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述步驟A中,拉伸所述單元區(qū)域的長(zhǎng)度與寬度,實(shí)現(xiàn)所述單元塊的內(nèi)部預(yù)留有至少一條第一金屬走線(xiàn)的布線(xiàn)空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述步驟A中,縮小所述導(dǎo)體之間距離,實(shí)現(xiàn)所述單元塊的內(nèi)部預(yù)留有至少一條第一金屬走線(xiàn)的布線(xiàn)空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述導(dǎo)體層包含至少三層不同的導(dǎo)體,所述步驟B中還包括選擇性地在每一層進(jìn)行相應(yīng)的金屬走線(xiàn)繞線(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,通過(guò)所述第一金屬走線(xiàn)電學(xué)連通相鄰所述單元塊之間的輸入和/或輸出,從而增加所述導(dǎo)體層中的其他層的金屬走線(xiàn)資源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述步驟B中,還包括通過(guò)預(yù)設(shè)的網(wǎng)表布局所述單元塊于版圖中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述第三寬度為第一寬度的三至六倍,所述第四寬度為第二寬度的三至六倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述金屬走線(xiàn)為信號(hào)線(xiàn)、電源線(xiàn)和地線(xiàn)中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于單元庫(kù)的集成電路設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述單元塊為組合邏輯門(mén)或時(shí)序邏輯門(mén)。
10.一種單元庫(kù),其特征在于,所述單元庫(kù)包括:
若干單元塊,所述單元塊具有沿第一方向、第二方向延伸的單元區(qū)域,所述單元區(qū)域的底層包含具有有源區(qū)域、擴(kuò)散區(qū)域及柵極帶區(qū)域的MOS管區(qū)域;所述單元區(qū)域的導(dǎo)體層包含有若干導(dǎo)體、電源線(xiàn)、地線(xiàn);通過(guò)設(shè)置所述單元區(qū)域的至少一個(gè)區(qū)域因子,從而在所述單元區(qū)域中的所述導(dǎo)體層預(yù)留至少一條第一金屬走線(xiàn)的布線(xiàn)空間,其中,所述區(qū)域因子包括所述單元塊中所述電源線(xiàn)的寬度、地線(xiàn)的寬度、導(dǎo)體的位置、導(dǎo)體的寬度、有源區(qū)域的位置、有源區(qū)域的尺寸中的一種;
所述電源線(xiàn)具有第一寬度,所述地線(xiàn)具有第二寬度,設(shè)置所述第一寬度和/或第二寬度的值,以在所述單元塊中預(yù)留至少一條第一金屬走線(xiàn)的布線(xiàn)空間;
對(duì)所述若干單元塊進(jìn)行金屬走線(xiàn)繞線(xiàn),其中,基于預(yù)留的布線(xiàn)空間,進(jìn)行第一金屬走線(xiàn)繞線(xiàn),從而實(shí)現(xiàn)電路功能;
檢測(cè)所述第一金屬走線(xiàn)繞線(xiàn)的范圍,并基于該檢測(cè)結(jié)果,增加未布設(shè)第一金屬走線(xiàn)的所述電源線(xiàn)的寬度為第三寬度,和/或增加未布設(shè)第一金屬走線(xiàn)的所述地線(xiàn)的寬度為第四寬度,從而增加單位面積走線(xiàn)的效率。
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