[發明專利]一種FINFET制造方法在審
| 申請號： | 201410185412.7 | 申請日： | 2014-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN105097528A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 劉云飛;尹海洲;張珂珂 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 finfet 制造 方法 | ||
1.一種FINFET的制造方法，包括：
a.提供半導體襯底(100)，在所述襯底上形成第一鰭片(201)；
b.在所述第一鰭片(201)上覆蓋掩膜層(202)；
c.在所述半導體襯底(100)中形成穿通阻擋層(300)；
d.以第一鰭片(201)和掩膜層(202)為掩膜依次對所述通阻擋層(300)和所述半導體襯底(100)的一部分進行刻蝕，將所述第一鰭片(201)擴展成第二鰭片(200)，并去除掩膜(202)；
e.在所述半導體襯底(100)上形成溝槽隔離結構(400)，在第二鰭片(200)上形成源漏區，在所述半導體襯底和第二鰭片上形成柵極疊層和層間介質層。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟a中，所述第一鰭片(201)的高度取決于要形成的第二鰭片(200)的預定高度與隔離層(400)的高度差。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，在步驟a中，所述第一鰭片(201)的高度為30～50nm，厚度為10～30nm。
4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟b中，形成所述掩膜層(202)的材料為氮化硅和/或氧化硅。
5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟c中形成的所述穿通阻擋層(300)位于第一鰭片(201)底部，其靠近襯底(100)的邊界設定為位于要形成的第二鰭片(200)之內。
6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟c中，形成穿通阻擋層(300)的方法為摻雜離子的側向散射。
7.根據權利要求1或6所述的制造方法，其特征在于，在步驟c中，形成所述穿通阻擋層(300)的雜質類型與襯底相同。
8.根據權利要求1或6所述的制造方法，其特征在于，在步驟c中，所述穿通阻擋層(300)的雜質濃度為1e17cm-3～1e19cm-3。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
