[發(fā)明專利]一種FinFET制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410185066.2 | 申請日： | 2014-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN105097527B | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張珂珂;尹海洲;劉云飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 finfet 制造 方法 | ||
1.一種FinFET制造方法，包括：
a.提供襯底，并在所述襯底上形成鰭片；
b.在所述鰭片兩側(cè)的襯底上形成隔離層；
c.在被所述隔離層覆蓋的部分鰭片中形成穿通阻擋層，使所述穿通阻擋層中的雜質(zhì)濃度峰值所在的位置低于所述隔離層表面；
d.對所述隔離層進行刻蝕，使其表面與所述穿通阻擋層雜質(zhì)濃度峰值所在的位置平齊；
e.在所述鰭片兩端分別形成源漏區(qū)，跨過所述鰭片中部形成柵極結(jié)構(gòu)，并在所述隔離層上方填充層間介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成穿通阻擋層包括：通過離子注入的方法將雜質(zhì)粒子注入到隔離層中，從而雜質(zhì)離子通過側(cè)向散射進入到鰭片中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，對于N型器件，所述雜質(zhì)為硼。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，對于P型器件，所述雜質(zhì)為磷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步驟d中，所述刻蝕去除的隔離層的厚度為5～25nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
