[發明專利]動態靜電放電鉗位電路有效
| 申請號： | 201410184890.6 | 申請日： | 2014-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN105098743B | 公開（公告）日： | 2018-09-18 |
| 發明（設計）人： | 陳光;程惠娟;李宏偉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/02 | 分類號： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 動態 靜電 放電 電路 | ||
1.一種動態靜電放電ESD鉗位電路，包括：
一個VCC電壓電源(8)；
一個VSS接地電源(9)；
一個用于ESD檢測的柵極耦合晶體管(3)，在所述柵極耦合晶體管(3)檢測到ESD事件后觸發導通，與反饋晶體管(5)形成競爭關系；
連接在所述VCC電壓電源(8)和所述柵極耦合晶體管(3)的柵極之間的耦合電容器(1)；
連接在所述柵極耦合晶體管(3)和所述VSS接地電源(9)的柵極之間的一系列電阻(2)；
鉗位晶體管(7)，為多叉指結構，連接在所述VCC電壓電源(8)和所述VSS接地電源(9)之間，用于在柵極電壓的控制下導通與所述VSS接地電源(9)之間的通路以泄放ESD電流；
反相器(4)，連接在所述柵極耦合晶體管(3)的漏極和所述鉗位晶體管(7)的柵極之間，在ESD事件發生時，觸發所述鉗位晶體管(7)的柵極與漏極端子耦合；
所述反饋晶體管(5)，連接在所述鉗位晶體管(7)的柵極與所述柵極耦合晶體管(3)的漏極之間，在所述VCC電壓電源(8)開啟時導通所述VCC電壓電源(8)到所述反相器(4)的輸入極之間的電路連接；
連接在所述鉗位晶體管(7)的柵極和所述VSS接地電源(9)的柵極之間的電阻(6)。
2.根據權利要求1所述的電路，所述柵極耦合晶體管(3)為n溝道晶體管。
3.根據權利要求1所述的電路，所述耦合電容器(1)為n溝道晶體管的寄生電容或p溝道晶體管的寄生電容。
4.根據權利要求1所述的電路，所述耦合電容器(1)為金屬氧化物半導體MOS可變電抗寄生電容或二極管的寄生電容。
5.根據權利要求1所述的電路，所述系列電阻(2)為多晶硅電阻、柵極軟接高NMOS電阻、柵極軟接低PMOS電阻器、或金屬寄生電阻。
6.根據權利要求1所述的電路，所述反饋晶體管(5)為p溝道晶體管，所述反饋晶體管(5)的柵極與所述鉗位晶體管(7)的柵極連接，所述反饋晶體管(5)的源極和所述反饋晶體管(5)的襯底均與所述VCC電壓電源(8)連接，所述反饋晶體管(5)的漏極與所述反相器(4)的輸入極連接。
7.根據權利要求1所述的電路，所述反相器(4)只有一級，用于減小觸發時間和提升導通速度。
8.根據權利要求1所述的電路，所述電阻器(6)為多晶硅電阻、柵極軟接高NMOS電阻、柵極軟接低PMOS電阻器、或金屬寄生電阻。
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