[發明專利]一種工藝開發包中參數化單元的DRC驗證方法有效
| 申請號: | 201410184633.2 | 申請日: | 2014-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN105095535B | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發明(設計)人: | 李滔;生俊揚;王春輝;牛歡歡;高穎 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 高偉;馮永貞 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 工藝 開發 參數 單元 drc 驗證 方法 | ||
1.一種工藝開發包中參數化單元的DRC驗證方法,包括以下步驟:
步驟(a),產生PCell實例;
步驟(b),對所述PCell實例進行版圖布局;
步驟(c),執行DRC檢查,檢查所述PCell實例中的PCell參數是否存在錯誤;
其中,所述步驟(a)包括以下子步驟:
步驟(a-1),根據PCell參數的種類,對影響PCell版圖的參數關鍵點遍歷;
步驟(a-2),對所述參數關鍵點以外的PCell參數遍歷;
所述步驟(b)包括以下子步驟:
步驟(b-1),對所述PCell實例的間距進行計算;
步驟(b-2),以PCell參數分類按規律擺放所述PCell實例;
步驟(b-3),將所述PCell參數標注于所述PCell實例。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述PCell參數的種類包括數值型的PCell參數和開關選項PCell參數。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述數值型的PCell參數包括柵極長度、柵極寬度、接觸孔列和指狀數目;所述開關選項PCell參數包括源漏極開關和襯底連接類型。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,其中所述數值型的PCell參數的最小值、最大值、缺省值都產生對應的PCell實例;
所述開關選項PCell參數都產生對應的PCell實例。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在設計規則中,同一條設計規則根據不同的限制條件產生不同數值,所述限制條件為DRC驗證中的所述關鍵點。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述參數關鍵點以外的Pcell參數以從小到大或從大到小步進的增長方式產生;或者按指數的增長方式產生;
所述增長的步進值的最小值為該工藝的格點值,所述格點值從PCell設計文件獲得。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟(b-1)中對所述PCell實例的間距進行計算的方法包括:
從PCell設計文件或技術文件中提取版圖中層的間距要求,或設定各層最小間距中最大值作為擺放PCell實例的間距,以大于所述間距的距離擺放所述PCell實例,以避免產生PCell實例間距的DRC錯誤。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟(b-2)中以PCell參數分類按規律擺放PCell實例的方法包括:
將PCell共同參數步進變化產生的PCell實例排列于同一行或列。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟(b-3)中將所述PCell參數標注于所述PCell實例的方法包括:
將所述PCell參數以文字形式標注于PCell實例的特定位置;將步進變化的PCell參數以文字形式標注于PCell實例版圖中的特定位置。
10.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,所述步驟(c)包括以下子步驟:
步驟(c-1),執行DRC檢查,若所述PCell參數沒有DRC錯誤,則通過DRC驗證;
步驟(c-2),若所述PCell參數存在DRC錯誤,則定位出錯的PCell參數,并進行改正,至通過DRC驗證為止。
11.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,所述步驟(c-2)中定位出錯的PCell參數的方法包括:
步驟(c-2-1),查找所述DRC錯誤是否存在于整行或者整列所述PCell實例中;
步驟(c-2-2),若所述DRC錯誤存在于單個PCell實例中,根據標注的文字確定該PCell參數設置,修改該PCell參數;
若所述DRC錯誤存在于整行或列,根據該行或列的共同參數來判定對應的PCell參數,修改該PCell參數;
步驟(c-2-3),修改所述PCell參數后,重復步驟(a)至步驟(c),至通過DRC驗證為止。
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