[發明專利]存儲器、存儲陣列的檢測電路及方法

有效

• 申請號: 201410184492.4
• 申請日: 2014-05-04
• 公開（公告）號: CN105097047B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 陳先敏;楊家奇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，特別涉及一種存儲器、存儲陣列的檢測電路及方法。

背景技術

存儲器(Memory)是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果以及最終運行結果都保存在存儲器中，存儲器根據控制器指定的位置存入和取出信息。作為存儲器的核心組成部分，存儲陣列由大量的存儲單元構成，每個存儲單元能存放1位二進制數據0或1。

為了提高存儲器的可靠性，在存儲器的制造過程中，需要對形成的存儲陣列進行各項檢測。檢測存儲陣列中每個存儲單元的可編程性是對存儲陣列進行的一項重要檢測，存儲單元的可編程性是指存儲單元能被寫入數據?，F有技術中，檢測存儲陣列中每個存儲單元的可編程性時，通常是先往存儲陣列中的所有存儲單元寫入數據，然后對所有存儲單元逐個進行讀取。若從存儲單元讀出的數據與對其寫入的數據相同，那么該存儲單元是可編程的，即該存儲單元能被寫入數據；反之，若從存儲單元讀出的數據與對其寫入的數據不同，那么該存儲單元是不可編程的，即該存儲單元不能被寫入數據。通過統計不能被寫入數據的存儲單元的數量，可以獲得存儲陣列中失效的存儲單元的數量。

采用現有的方法檢測存儲陣列中每個存儲單元的可編程性時，讀取存儲陣列所耗費的時間與存儲陣列的容量成1:1的正比關系。而存儲陣列的容量通常至少為幾千字節，因此，采用現有的方法檢測存儲陣列中每個存儲單元的可編程性耗費的時間很長。

發明內容

本發明解決的是檢測存儲陣列時耗費時間長的問題。

為解決上述問題，本發明提供一種存儲陣列的檢測電路，所述存儲陣列包括呈陣列排布的待測存儲單元，所述待測存儲單元被編程前后的等效阻抗不相等；所述存儲陣列的檢測電路包括：

N個檢測單元，N為整數且N≥3；

所述檢測單元包括電壓比較器，所述電壓比較器的第一輸入端適于輸入基準電壓，N個電壓比較器的第二輸入端相連并作為測試端，所述電壓比較器的輸出端適于輸出二進制數據；

輸入第n個電壓比較器的基準電壓的電壓值根據

或者確定，其中，V_n為輸

入第n個電壓比較器的基準電壓的電壓值，R_n為(N-n)個所述待測存儲單元被編程前的等效阻抗與(n-1)個所述待測存儲單元被編程后的等效阻抗并聯的阻抗值，i為預先設定的檢測電流的電流值。

可選的，所述檢測單元還包括適于提供所述基準電壓的基準電壓產生單元。

可選的，所述基準電壓產生單元包括阻抗單元；

所述阻抗單元的一端適于輸入參考電位，所述阻抗單元的另一端適于輸入基準電流并提供所述基準電壓，所述阻抗單元的等效阻抗與所述基準電流的乘積減去所述參考電位等于所述基準電壓。

可選的，所述基準電流的電流值與所述檢測電流的電流值相等；

所述阻抗單元包括子阻抗單元以及(N-1)個結構與所述待測存儲單元相同的基準存儲單元，所述子阻抗單元與(N-1)個基準存儲單元并聯，并聯的一端作為所述阻抗單元的一端，并聯的另一端作為所述阻抗單元的另一端；

其中，第n個阻抗單元的(N-1)個基準存儲單元中，(N-n)個基準存儲單元未被編程，(n-1)個基準存儲單元已被編程。

可選的，所述子阻抗單元包括第一電阻，所述第一電阻的兩端作為所述子阻抗單元與所述(N-1)個基準存儲單元并聯的連接端。

可選的，所述子阻抗單元包括第二電阻和開關晶體管；

所述第二電阻的一端連接所述開關晶體管的漏極，所述開關晶體管的柵極適于輸入控制電壓，所述第二電阻的另一端和所述開關晶體管的源極作為所述子阻抗單元與所述(N-1)個基準存儲單元并聯的連接端。

基于上述存儲陣列的檢測電路，本發明還提供一種存儲陣列的檢測方法，包括：

對所述存儲陣列中的待測存儲單元進行編程；

執行分組檢測步驟，以獲得(N-1)個待測存儲單元中不能被寫入數據的存儲單元的數量；

重復執行所述分組檢測步驟，以獲得所述存儲陣列中不能被寫入數據的存儲單元的數量；

其中，所述分組檢測步驟包括：

從所述存儲陣列中選取(N-1)個待測存儲單元進行并聯，將所述(N-1)個待測存儲單元并聯的一端接地、并聯的另一端連接所述測試端；

施加所述檢測電流至所述測試端，施加所述基準電壓至所述電壓比較器的第二輸入端；