[發(fā)明專利]存儲器、存儲陣列的檢測電路及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410184492.4 | 申請日： | 2014-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN105097047B | 公開（公告）日： | 2017-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳先敏;楊家奇 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/56 | 分類號： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 存儲 陣列 檢測 電路 方法 | ||
1.一種存儲陣列的檢測電路，所述存儲陣列包括呈陣列排布的待測存儲單元，所述待測存儲單元被編程前后的等效阻抗不相等；其特征在于，所述存儲陣列的檢測電路包括：
N個檢測單元，N為整數(shù)且N≥3；
所述檢測單元包括電壓比較器，所述電壓比較器的第一輸入端適于輸入基準(zhǔn)電壓，N個電壓比較器的第二輸入端相連并作為測試端，所述電壓比較器的輸出端適于輸出二進制數(shù)據(jù)；
輸入第n個電壓比較器的基準(zhǔn)電壓的電壓值根據(jù)或者確定，其中，Vn為輸入第n個電壓比較器的基準(zhǔn)電壓的電壓值，Rn為(N-n)個所述待測存儲單元被編程前的等效阻抗與(n-1)個所述待測存儲單元被編程后的等效阻抗并聯(lián)的阻抗值，i為預(yù)先設(shè)定的檢測電流的電流值。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述檢測單元還包括適于提供所述基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元包括阻抗單元；
所述阻抗單元的一端適于輸入?yún)⒖茧娢唬鲎杩箚卧牧硪欢诉m于輸入基準(zhǔn)電流并提供所述基準(zhǔn)電壓，所述阻抗單元的等效阻抗與所述基準(zhǔn)電流的乘積減去所述參考電位等于所述基準(zhǔn)電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述參考電位為地電位。
5.如權(quán)利要求3所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電流的電流值與所述檢測電流的電流值相等；
所述阻抗單元包括子阻抗單元以及(N-1)個結(jié)構(gòu)與所述待測存儲單元相同的基準(zhǔn)存儲單元，所述子阻抗單元與(N-1)個基準(zhǔn)存儲單元并聯(lián)，并聯(lián)的一端作為所述阻抗單元的一端，并聯(lián)的另一端作為所述阻抗單元的另一端；
其中，第n個阻抗單元的(N-1)個基準(zhǔn)存儲單元中，(N-n)個基準(zhǔn)存儲單元未被編程，(n-1)個基準(zhǔn)存儲單元已被編程。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述子阻抗單元包括第一電阻，所述第一電阻的兩端作為所述子阻抗單元與所述(N-1)個基準(zhǔn)存儲單元并聯(lián)的連接端。
7.如權(quán)利要求5所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述子阻抗單元包括第二電阻和開關(guān)晶體管；
所述第二電阻的一端連接所述開關(guān)晶體管的漏極，所述開關(guān)晶體管的柵極適于輸入控制電壓，所述第二電阻的另一端和所述開關(guān)晶體管的源極作為所述子阻抗單元與所述(N-1)個基準(zhǔn)存儲單元并聯(lián)的連接端。
8.如權(quán)利要求1至7任一項所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述待測存儲單元為電熔絲存儲單元。
9.如權(quán)利要求8所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，還包括適于提供所述檢測電流的檢測電流產(chǎn)生單元。
10.如權(quán)利要求8所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，所述待測存儲單元包括熔絲元件和開關(guān)晶體管；
所述熔絲元件的一端作為所述待測存儲單元的陽極，所述熔絲元件的另一端連接所述開關(guān)晶體管的漏極；
所述開關(guān)晶體管的柵極適于輸入控制電壓，所述開關(guān)晶體管的源極接地。
11.一種存儲陣列的檢測方法，基于權(quán)利要求1或2所述的存儲陣列的檢測電路，其特征在于，包括：
對所述存儲陣列中的待測存儲單元進行編程；
執(zhí)行分組檢測步驟，以獲得(N-1)個待測存儲單元中不能被寫入數(shù)據(jù)的存儲單元的數(shù)量；
重復(fù)執(zhí)行所述分組檢測步驟，以獲得所述存儲陣列中不能被寫入數(shù)據(jù)的存儲單元的數(shù)量；
其中，所述分組檢測步驟包括：
從所述存儲陣列中選取(N-1)個待測存儲單元進行并聯(lián)，將所述(N-1)個待測存儲單元并聯(lián)的一端接地、并聯(lián)的另一端連接所述測試端；
施加所述檢測電流至所述測試端，施加所述基準(zhǔn)電壓至所述電壓比較器的第二輸入端；
根據(jù)所述N個電壓比較器輸出的二進制數(shù)據(jù)獲得所述(N-1)個待測存儲單元中不能被寫入數(shù)據(jù)的存儲單元的數(shù)量。
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