[發明專利]集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分選方法有效
| 申請號: | 201410182557.1 | 申請日: | 2014-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN103969942B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 陳小雪;王紅鋒;彭超 | 申請(專利權)人: | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38;H01L33/00 |
| 代理公司: | 長沙智嶸專利代理事務所43211 | 代理人: | 黃子平 |
| 地址: | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成 刻板 制作方法 及其 led 芯片 晶粒 分選 方法 | ||
技術領域
本發明涉及LED(發光二極光)芯片制備領域,特別地,涉及一種集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分選方法。
背景技術
LED芯片的光電特性由其規格和圖形決定。LED芯片制備過程中芯片的表面的圖形由光刻板(光刻掩膜板)決定。在制造不同規格和不同圖形LED芯片實驗的過程中,現有技術中常采用與所需LED芯片的規格和圖形一致的光刻板進行制造。無法在一塊光刻板上同時獲得多種規格和圖形的LED芯片。光刻板價格昂貴,當一次所需不同規格和不同圖形的LED芯片量較少時,這種制備方法會增加生產成本。尤其不適于實驗中所需LED芯片的量。增加了研發新LED芯片的成本,阻礙了技術的發展。當設計出一種新結構的LED芯片,如果不能在同一片晶片上制造出新、舊兩種規格和圖形的LED芯片,則試驗結果的比對準確性也容易受到質疑。
現有技術中經光掩膜蝕刻后,一片晶片上制得的晶粒需通過點測、轉檔、AOI(自動光學檢測)、分選、目檢等步驟將晶粒中的不合格晶粒剔除。點測步驟是以一顆成品標準芯片作為標準晶粒,然后通過CCD(電荷耦合元件)照相機對標準晶粒和所得晶粒表面進行掃描拍攝,得到標準圖片和產品圖片。預設標準圖片與產品圖片的相似度達到58~62%時,所得晶粒為合格品。將標準圖片分別與每一幅產品圖片進行對比得出兩者的相似度。對合格品進行點測。通過點測確定每一顆晶粒在wafer(晶片)上的坐標和對應的光電特性。轉檔步驟為按照合格品的光電特性將單片wafer上的每一個坐標點上的晶粒進行分類,轉檔結束后每一個坐標點對應的芯片都有了相應的Bin號。AOI步驟為對芯片的外觀進行一次區分,將外觀不合格的芯片改Bin號作降級處理。分選步驟是讀取AOI步驟中所得一片晶片上所得晶粒的全部Bin號。通過CCD照相機掃描晶粒,并與標準芯片進行比對,后將每一顆晶粒在晶片上的坐標確定,按照坐標將相同Bin號的芯片分選出來。之后在目檢所得芯片的外觀并列印標簽。上述操作流程中點測和分選步驟均需事先設置標準芯片,然后以CCD照相機對晶粒進行掃描得出每一顆芯片的相似度分數,從而確認每顆晶粒是否合格。
集成式光刻板是指在一塊光刻板上設置多個不同規格和不同圖形的芯片模型,通過一次制備即可將一塊晶片制成多個不同規格和不同圖形的LED芯片。采用集成式光刻版制得的芯片,由于其中混有ITO(摻錫氧化銦)圖形的芯片,而該圖形的區別需要通過高倍顯微鏡才能勉強辨識清楚,CCD攝像頭的辨識能力無法準確辨識圖形間的不同和尺寸的微小改變。遇到此類芯片,需要手動用鑷子夾取這些晶粒并擺放在一起,重排后再點試分選。整個過程操作繁瑣,浪費較多人力,而且夾取過程中對芯片的損傷可能性增大。即使如此仍不能保證挑選出的晶粒均為同一種圖形規格的晶粒,效率低下。
發明內容
本發明目的在于提供一種集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分選方法,以解決現有技術中一片晶片上多種圖形和多種規格晶粒無法快速高效簡便分選的技術問題。
為實現上述目的,根據本發明的一個方面,提供了一種集成式光刻板制作方法,包括以下步驟:1)在集成式光刻板上彼此垂直設置的兩條分割線,將光刻板劃分成四個象限,并將兩條分割線分別作為橫坐標線和縱坐標,形成坐標系;2)在任一象限中以坐標系的零點為基準,向橫坐標線和縱坐標方向延伸形成包含至少一個晶粒模板的方形標準單元區域;3)在四個象限內,連續設置多個與標準單元區域內晶粒模板圖形和規格相同的對照單元區域,且每個對照單元區域內各晶粒模板的排列位置與標準單元區域內各晶粒模板的排布位置相同,從而得到集成式光刻板。
進一步地,標準單元區域中包括A粒×B粒晶粒模板,A≥1,B≥1且A和B不能同時為1。
進一步地,標準單元區域中各晶粒模板的圖形和規格彼此不同。
進一步地,分割線由彼此垂直設置的兩列晶粒模板組成。
進一步地,形成標準單元區域和對照單元區域時,不以位于分割線上的晶粒模板作為標準單元區域和對照單元區域的組成部分。
本發明的另一方面還提供了一種LED芯片晶粒的分選方法,包括以下步驟:1)以集成式光刻板為光掩膜板將晶片加工為待分選晶粒;2)依據集成式光刻板上標準單元區域的規格,將分選機中對應于標準單元區域和各對照單元區域內相對于坐標系位于同一位置上的待分選晶粒的Bin值改為相同的Bin值;3)分選機依據Bin值將待分選晶粒中具有相同Bin值的晶粒分選集中,得到具有相同圖形和相同規格的LED芯片。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





