[發(fā)明專利]集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分選方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410182557.1
• 申請(qǐng)日: 2014-05-04
• 公開（公告）號(hào): CN103969942B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳小雪;王紅鋒;彭超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/38
• 分類號(hào): G03F1/38;H01L33/00
• 代理公司: 長(zhǎng)沙智嶸專利代理事務(wù)所43211
• 代理人: 黃子平

1.一種集成式光刻板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)在所述集成式光刻板上彼此垂直設(shè)置的兩條分割線，將光刻板劃分成四個(gè)象限，并將所述兩條分割線分別作為橫坐標(biāo)線和縱坐標(biāo)，形成坐標(biāo)系；

2)在任一所述象限中以所述坐標(biāo)系的零點(diǎn)為基準(zhǔn)，向橫坐標(biāo)線和縱坐標(biāo)方向延伸形成包含至少一個(gè)晶粒模板的方形標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域；

3)在四個(gè)象限內(nèi)，連續(xù)設(shè)置多個(gè)與所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域內(nèi)晶粒模板圖形和規(guī)格相同的對(duì)照單元區(qū)域，且每個(gè)所述對(duì)照單元區(qū)域內(nèi)各晶粒模板的排列位置與所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域內(nèi)各晶粒模板的排布位置相同，從而得到所述集成式光刻板；

所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域中包括A粒×B粒所述晶粒模板，所述A≥1，所述B≥1且所述A和所述B不能同時(shí)為1；

所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域中各所述晶粒模板的圖形和規(guī)格彼此不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述分割線由彼此垂直設(shè)置的兩列晶粒模板組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域和所述對(duì)照單元區(qū)域時(shí)，不以位于所述分割線上的晶粒模板作為所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域和所述對(duì)照單元區(qū)域的組成部分。

4.一種LED芯片晶粒分選方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)以權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)集成式光刻板的制作方法制得的所述集成式光刻板為光掩膜板，將晶片加工為待分選晶粒；

2)依據(jù)所述集成式光刻板上標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域的規(guī)格，將分選機(jī)中對(duì)應(yīng)于所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域和各對(duì)照單元區(qū)域內(nèi)相對(duì)于坐標(biāo)系位于同一位置上的所述待分選晶粒的Bin值改為相同的Bin值；

3)分選機(jī)依據(jù)所述Bin值將所述待分選晶粒中具有相同Bin值的晶粒分選集中，得到具有相同圖形和相同規(guī)格的所述LED芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，步驟2)中所述Bin值的修改方法包括以下步驟：

S1所述晶片上彼此垂直設(shè)置第一分割線和第二分割線，所述第一分割線為X軸，所述第二分割線為Y軸，形成第一坐標(biāo)系；

S2以每個(gè)晶粒在第一坐標(biāo)系下的坐標(biāo)值(X,Y)經(jīng)(X MOD₁ A，Y MOD₂ B)后得到(X’,Y’)；

S3對(duì)具有相同坐標(biāo)值(X’,Y’)的晶粒給予相同的Bin值；

所述MOD₁為X除以A取余數(shù)；所述MOD₂為Y除以B取余數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一分割線為一排貫通所述晶片的晶粒組成，所述第二分割線由一列貫通所述晶片的晶粒組成。