[發(fā)明專利]一種可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410182461.5
• 申請(qǐng)日: 2014-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN103963371A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范亞軍;楊永華;孫疊文;潘韜;魏邦爭(zhēng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山市格蘭特實(shí)業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): B32B9/04
• 分類號(hào): B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00;C03C17/36
• 代理公司: 中山市捷凱專利商標(biāo)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44327
• 代理人: 楊連華;陳玉瓊

1.一種可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地復(fù)合有九個(gè)膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為Si₃N₄層(21)，第二層為AZO層(22)，第三層為Ag層(23)，第四層為NiCrNy層(24)，第五層為ZnSn層(25)，第六層為AZO層(26)，第七層為Ag層(27)，第八層為NiCrOy層(28)，最外層為Si₃N₄層(29)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si₃N₄層(21)的厚度為25～45nm，所述第二層AZO層(22)的厚度為5～15nm，所述第六層AZO層(26)的厚度為5～15nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三層Ag層(23)的厚度為5～15nm，所述第七層Ag層(27)的厚度為5～15nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四層NiCrNy層(24)的厚度為1.5～3nm，所述第八層NiCrOy層(28)的厚度為1.5～3nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第五層ZnSn層(25)的厚度為70～100nm，所述最外層Si₃N₄層(29)的厚度為30～55nm。

6.一種制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)磁控濺射Si₃N₄層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％；

(2)磁控濺射AZO層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；

(3)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；

(4)磁控濺射NiCrNy層，用直流電源濺射，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體；

(5)磁控濺射ZnSn層，用交流電源濺射，用氧氣做反應(yīng)氣體；

(6)磁控濺射AZO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；

(7)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；

(8)磁控濺射NiCrOy層，用直流電源濺射，用氧氣做反應(yīng)氣體，滲少量氧氣；

(9)磁控濺射Si₃N₄層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于所述第一膜層的Si₃N₄層(21)的厚度為25～45nm，所述第二層AZO層(22)的厚度為5～15nm，所述第六層AZO層(26)的厚度為5～15nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三層Ag層(23)的厚度為5～15nm，所述第七層Ag層(27)的厚度為5～15nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四層NiCrNy層(24)的厚度為1.5～3nm，所述第八層NiCrOy層(28)的厚度為1.5～3nm，所述第五層ZnSn層(25)的厚度為70～100nm，所述最外層Si₃N₄層(29)的厚度為30～55nm。