[發(fā)明專利]用于測(cè)試磁場(chǎng)傳感器的裝置及其方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410181517.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104347444B | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金動(dòng)昊;曹基錫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美格納半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;陳煒 |
| 地址: | 韓國(guó)忠*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 測(cè)試 磁場(chǎng) 傳感器 裝置 及其 方法 | ||
提供一種用于測(cè)試磁場(chǎng)傳感器的裝置和方法,其中,該方法包括:布置線圈以產(chǎn)生磁場(chǎng);使用線圈,將磁場(chǎng)施加到磁場(chǎng)傳感器;以及檢測(cè)施加到磁場(chǎng)傳感器的磁場(chǎng)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2013年7月29日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0089664號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益,其全部公開通過引用結(jié)合到本文用于所有目的。
技術(shù)領(lǐng)域
下面的描述涉及磁場(chǎng)傳感器測(cè)試裝置和磁場(chǎng)傳感器測(cè)試方法。
背景技術(shù)
“多軸磁場(chǎng)傳感器”是指被配置成通過檢測(cè)X、Y或Z軸上的磁場(chǎng)來感知方位角的傳感裝置(本文所用的“多軸”可以包括兩個(gè)或三個(gè)軸)。
通常,需要直接將磁場(chǎng)施加到待感測(cè)的X、Y或Z軸,以測(cè)試多軸磁場(chǎng)傳感器。因此,必須準(zhǔn)備線圈(例如電感器)以施加磁場(chǎng),然后,電流流過線圈以測(cè)試磁場(chǎng)傳感器,同時(shí)根據(jù)預(yù)期幅度來改變磁場(chǎng)。
韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?0-2006-0060666提出了一種使用二軸磁場(chǎng)傳感器的裝置來解決與三軸羅盤相關(guān)聯(lián)的問題。
多軸磁場(chǎng)傳感器可以在晶片上或封裝中被測(cè)試。
為了在晶片上測(cè)試磁場(chǎng)傳感器,通常需要將均勻磁場(chǎng)施加到晶片的多軸方向。因此,在X、Y和Z軸方向上分別需要線圈。特別需要使用比晶片更大的線圈以測(cè)試Z軸方向,還需要施加更大的磁場(chǎng),因?yàn)楦袦y(cè)磁場(chǎng)的范圍增加。然而,將更大電力施加到線圈這樣的需求通常會(huì)導(dǎo)致問題。
同時(shí),為了在封裝中測(cè)試傳感器,通常使用插座。雖然該測(cè)試也針對(duì)X、Y和Z軸方向分別需要線圈,然而可以使用比晶片上測(cè)試所需線圈更小的線圈。然而,因?yàn)楸仨殞⒎庋b中的磁場(chǎng)傳感器放在插座中用于測(cè)試目的,所以需要分離的裝置。此外,因?yàn)榘错樞驕y(cè)試多個(gè)磁場(chǎng)傳感器芯片,所以測(cè)試通常花費(fèi)更長(zhǎng)的時(shí)間且導(dǎo)致更高的成本。
發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明內(nèi)容以簡(jiǎn)化形式介紹系列構(gòu)思,在下面的具體實(shí)施方式中將對(duì)其進(jìn)一步描述。本發(fā)明內(nèi)容不用于確定要保護(hù)的主題內(nèi)容的關(guān)鍵特征或本質(zhì)特征,也不用于幫助確定要保護(hù)的主題內(nèi)容的范圍。
在一個(gè)總的方面,用于測(cè)試晶片上的磁場(chǎng)傳感器的方法包括:在晶片上布置配置成產(chǎn)生磁場(chǎng)的線圈;使用線圈,將磁場(chǎng)施加到磁場(chǎng)傳感器;以及檢測(cè)施加到磁場(chǎng)傳感器的磁場(chǎng)。
磁場(chǎng)傳感器可以被配置成檢測(cè)具有多軸分量的磁場(chǎng)。
線圈可以具有比晶片的橫截面面積更小的橫截面面積。
該方法還可以包括在線圈區(qū)域內(nèi)且在遠(yuǎn)離線圈中心點(diǎn)的距離處布置磁場(chǎng)傳感器。
從磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁場(chǎng)線和磁場(chǎng)傳感器的表面之間的入射角可以小于90度。
響應(yīng)于施加到磁場(chǎng)傳感器的磁場(chǎng)被分成X、Y和Z軸分量,X、Y和Z軸分量可以具有相似的值。
晶片可以形成在探針卡上。
針可以連接到探針卡,并且遠(yuǎn)離線圈中心點(diǎn)朝向線圈的邊布置。
該方法還可以包括在線圈區(qū)域外布置磁場(chǎng)傳感器。
該方法還可以包括在除線圈中心點(diǎn)之外的線圈區(qū)域內(nèi)的任何象限上布置磁場(chǎng)傳感器。
該方法還可以包括在線圈區(qū)域內(nèi)布置多個(gè)磁場(chǎng)傳感器。
在另一總的方面,一種用于測(cè)試磁場(chǎng)傳感器的裝置包括:包括磁場(chǎng)傳感器的晶片;以及被配置成產(chǎn)生磁場(chǎng)到磁場(chǎng)傳感器的環(huán)形線圈,其中,磁場(chǎng)傳感器放置在遠(yuǎn)離線圈中心點(diǎn)的距離處。
該裝置還可以包括:包括環(huán)形線圈的探針卡;以及連接到探針卡的針,其中,連接到探針卡的針遠(yuǎn)離線圈中心點(diǎn)朝向線圈的邊布置。
磁場(chǎng)傳感器可以布置在遠(yuǎn)離線圈中心點(diǎn)的位置且朝向線圈的邊布置。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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