[發明專利]用于測試磁場傳感器的裝置及其方法

有效

• 申請號: 201410181517.5
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN104347444B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 金動昊;曹基錫
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;陳煒

1.一種用于測試晶片上的磁場傳感器的方法，包括：

在具有平行于所述晶片的表面的徑向方向的線圈的磁場內布置所述磁場傳感器；

其中，所述磁場傳感器被布置為遠離所述線圈的中心點一定距離，

其中，所述線圈具有比所述晶片的橫截面面積更小的橫截面面積，以及

其中，所述線圈被配置成向所述磁場傳感器施加三軸磁場，并且所述距離對應于所述線圈與所述晶片之間的距離，使得所述磁場傳感器接觸從所述三軸磁場產生的下述磁場線：所述磁場線在所述磁場線與所述晶片的表面相交的點處具有Z軸與XY坐標平面之間的近似45°的入射角；以及

檢測施加到所述磁場傳感器的三軸磁場。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述線圈是用于向所述磁場傳感器施加三軸磁場的單個線圈。

3.如權利要求1所述的方法，其中，響應于施加到所述磁場傳感器的三軸磁場被分成X軸分量、Y軸分量和Z軸分量，所述X軸分量、所述Y軸分量和所述Z軸分量具有相似的值。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述晶片形成在探針卡上。

5.如權利要求4所述的方法，其中，針連接到所述探針卡，并且遠離所述線圈的中心點朝向所述線圈的邊放置。

6.如權利要求1所述的方法，還包括在所述線圈的區域外布置另外的磁場傳感器。

7.如權利要求1所述的方法，還包括在所述線圈的區域內布置多個磁場傳感器。

8.一種用于測試磁場傳感器的裝置，包括：

包括至少四個磁場傳感器的晶片；以及

具有平行于所述磁場傳感器的表面的徑向方向的環形線圈，

其中，所述環形線圈具有比所述晶片的橫截面面積更小的橫截面面積，

其中，以在所述環形線圈的線圈區域內的每個象限中布置一個磁場傳感器以用于同時測試的方式，將所述磁場傳感器布置在所述環形線圈的磁場內，以及

其中，所述磁場傳感器各自被放置為遠離所述環形線圈的中心點一定距離，使得單個的所述環形線圈被配置為向所述磁場傳感器施加三軸磁場。

9.如權利要求8所述的裝置，還包括：

包括所述環形線圈的探針卡；以及

連接到所述探針卡的針，

其中，連接到所述探針卡的針遠離所述環形線圈的中心點朝向所述環形線圈的邊放置。

10.如權利要求8所述的裝置，其中，所述環形線圈是用于向所述磁場傳感器施加三軸磁場的單個線圈。

11.如權利要求8所述的裝置，其中，響應于施加到所述磁場傳感器的三軸磁場被分成X軸分量、Y軸分量和Z軸分量，所述X軸分量、所述Y軸分量和所述Z軸分量具有相似的值。

12.一種用于測試多軸磁場傳感器的方法，所述方法包括：

在具有平行于晶片的表面的徑向方向的線圈的磁場內且遠離所述線圈的中心點一定距離放置所述多軸磁場傳感器，使得所述線圈被配置成向所述多軸磁場傳感器施加多軸磁場，并且在所述線圈的各個象限中布置所述多軸磁場傳感器以用于測試；以及

使用所述多軸磁場傳感器檢測所述多軸磁場的多軸分量，

其中，所述線圈具有比所述晶片的橫截面面積更小的橫截面面積。