[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410174930.9 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104253094B | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 南允邰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L23/31 | 分類號(hào): | H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人: | 金光軍,劉奕晴 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝,包括:
第一襯底,該第一襯底具有安裝在所述第一襯底的一個(gè)表面上的第一電子設(shè)備以及安裝在所述第一襯底的與所述一個(gè)表面面對(duì)的另一表面上的第二電子設(shè)備;
第一塑封部分,該第一塑封部分密封所述第二電子設(shè)備;
第一屏蔽膜,該第一屏蔽膜形成在第一塑封部分的外表面上;以及
第二襯底,該第二襯底與所述第一襯底的所述一個(gè)表面結(jié)合并且包括嵌入部分,其中安裝在所述第一襯底的所述一個(gè)表面上的所述第一電子設(shè)備被嵌入所述嵌入部分中,
其中所述第二襯底包括接地過孔、沿著所述第二襯底的內(nèi)壁或外壁形成的屏蔽壁以及將所述接地過孔與所述屏蔽壁連接的接地圖案,
其中所述第一襯底包括形成在該第一襯底中并連接到所述第一屏蔽膜和所述接地過孔的接地層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中,所述接地層被形成為具有暴露至所述第一襯底的外側(cè)的兩端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝,其中所述第一屏蔽膜被電連接至所述接地層,該接地層被暴露至所述第一襯底的外側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中所述第二襯底還包括信號(hào)過孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中在所述屏蔽壁中,對(duì)應(yīng)于形成信號(hào)過孔的位置的區(qū)域被打開。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝,還包括:
屏蔽過孔,該屏蔽過孔在對(duì)應(yīng)于所述屏蔽壁所打開的區(qū)域的位置形成,并且在沿著所述信號(hào)過孔的直線上形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中所述嵌入部分具有通孔的形式。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中所述嵌入部分具有凹槽的形式。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝,其中在所述嵌入部分中的底部表面還被提供有所述屏蔽壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中所述第一襯底還被提供有電路層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝,其中所述第二襯底還包括電連接至所述第一襯底的導(dǎo)電過孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝,還包括:
外部連接端子,該外部連接端子形成在所述第二襯底的一個(gè)表面上并且連接至所述導(dǎo)電過孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝,還包括:
第二塑封部分,該第二塑封部分形成在所述嵌入部分中從而密封所述第一電子設(shè)備。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝,還包括:
第二屏蔽膜,該第二屏蔽膜形成在所述第二塑封部分的一個(gè)表面上并且電連接至所述屏蔽壁。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝,還包括:
第二塑封部分,該第二塑封部分形成在所述嵌入部分中以密封所述第一電子設(shè)備。
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