[發明專利]將數據寫入至閃存的方法及相關的記憶裝置與閃存

有效

• 申請號: 201410174843.3
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN104835526B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 楊宗杰
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/06
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種將一數據寫入至一閃存的方法及相關的記憶裝置與閃存，其中所述閃存為一三層式儲存閃存，所述閃存中的每一個儲存單元以一浮柵晶體管來實現，每一個儲存單元支持八個寫入電壓位準，且所述方法包含：逐位地調整所述數據以產生一虛擬亂碼位序列；以及僅以所述八個寫入電壓位準中的兩個特定電壓位準將所述虛擬亂碼位序列寫入至所述閃存中。本發明可以使得寫入的數據具有較佳的噪聲邊限。

技術領域

本發明涉及閃存，尤其涉及一種將數據寫入至閃存的方法及相關的記憶裝置與閃存。

背景技術

閃存可通過電子式的抹除(erase)與寫入/程序化(program)以進行數據儲存，并且廣泛地應用于記憶卡(memory card)、固態硬盤(solid-state drive)與可攜式多媒體播放器等等。由于閃存為非揮發性(non-volatile)內存，因此，不需要額外電力來維持閃存所儲存的信息，此外，閃存可提供快速的數據讀取與較佳的抗震能力，而這些特性也說明了閃存為何會如此普及的原因。

閃存可區分為NOR型閃存與NAND型閃存。對于NAND型閃存來說，其具有較短的抹除及寫入時間且每一內存單元需要較少的芯片面積，因而相較于NOR型閃存，NAND型閃存會允許較高的儲存密度以及較低的每一儲存位的成本。一般來說，閃存以內存單元數組的方式來儲存數據，而內存單元是由一浮柵晶體管(floating-gate transistor)來加以實現，且每一內存單元可通過適當地控制浮柵晶體管的浮動閘極上的電荷個數來設定導通所述浮柵晶體管所實現的所述內存單元的所需臨界電壓，進而儲存單一個位的信息或者一個位以上的信息，如此一來，當一或多個預定控制柵極電壓施加于浮柵晶體管的控制柵極之上，則浮柵晶體管的導通狀態便會指示出浮柵晶體管中所儲存的一或多個二進制數(binarydigit)。

在閃存中的第一個區塊的一數據頁中，通常會儲存一個系統內部程序代碼(In-System Programming code)，這個ISP碼是用來儲存閃存的一些基本信息，例如廠商名稱、閃存格式(例如單層式儲存(Single-Level Cell，SLC)、多層式儲存(Multiple-LevelCell，MLC)或是三層式儲存(Triple-Level Cell，TLC))…等等。當閃存控制器第一次讀取此閃存時，閃存控制器會先讀取此ISP碼以獲得所需的信息，之后才能對閃存進行讀取寫入等操作。

然而，在閃存的封裝過程中，特別是三層式儲存(TLC)架構的閃存，閃存中所儲存的ISP碼可能會因為溫度或是其他原因而使得閃存單元中的內存單元的臨界電壓分布(threshold voltage distribution)有所改變，因此，使用原本的控制柵極電壓設定(亦即臨界電壓設定)來讀取內存單元中所儲存的信息可能會因為改變后的臨界變壓分布而無法正確地獲得所儲存的信息。如此一來，閃存控制器有可能無法正確地讀取ISP碼，因而造成閃存無法使用的問題。

發明內容

因此，本發明的目的在于公開一種閃存的寫入方法及相關的記憶裝置與閃存，其寫入的數據具有較佳的噪聲邊限(noise margin)，以解決現有技術的問題。

根據本發明一實施例，本發明公開一種將一數據寫入至一閃存的方法，其中所述閃存為一三層式儲存閃存，所述閃存中的每一個儲存單元以一浮柵晶體管來實現，每一個儲存單元支持八個寫入電壓位準，且所述方法包含：逐位地調整所述數據以產生一虛擬亂碼位序列；根據所述虛擬亂碼位序列中的每一個位來產生相對應的一最低有效位、一中間有效位以及一最高有效位；以及根據所述虛擬亂碼位序列中的每一個位所產生的相對應的所述最低有效位、所述中間有效位以及所述最高有效位，并僅以所述八個寫入電壓位準中的兩個特定電壓位準將所述虛擬亂碼位序列寫入至所述閃存中。