[發明專利]將數據寫入至閃存的方法及相關的記憶裝置與閃存

有效

• 申請號: 201410174843.3
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN104835526B
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 楊宗杰
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/06
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種將數據寫入至閃存的方法，其特征在于，所述閃存為三層式儲存閃存，所述閃存中的每一個儲存單元以一個浮柵晶體管來實現，每一個儲存單元支持八個寫入電壓位準，所述方法包含：

逐位地調整所述數據以產生虛擬亂碼位序列；

根據所述虛擬亂碼位序列中的每一個位來產生相對應的一最低有效位、一中間有效位以及一最高有效位；以及

根據所述虛擬亂碼位序列中的每一個位所產生的相對應的所述最低有效位、所述中間有效位以及所述最高有效位，并僅以所述八個寫入電壓位準中的兩個特定電壓位準將所述虛擬亂碼位序列寫入至所述閃存中。

2.如權利要求1所述的將數據寫入至閃存的方法，其特征在于，所述虛擬亂碼位序列被寫入至所述閃存中一區塊的一最低有效位數據頁中，且所述兩個特定的電壓位準中至少其一不是最接近用來讀取所述最低有效位數據頁中的至少一臨界電壓的電壓位準。

3.如權利要求2所述的將數據寫入至閃存的方法，其特征在于，所述八個寫入電壓位準依序分別為第一電壓位準、第二電壓位準、第三電壓位準、第四電壓位準、第五電壓位準、第六電壓位準、第七電壓位準、第八電壓位準，所述第一電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,1,1)、所述第二電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,1,0)、所述第三電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,0,0)、所述第四電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,0,0)、所述第五電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,1,0)、所述第六電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,1,1)、所述第七電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,0,1)、所述第八電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,0,1)，且所述兩個特定的電壓位準分別是第一電壓位準以及第四電壓位準。

4.如權利要求1所述的將數據寫入至閃存的方法，其特征在于，根據所述虛擬亂碼位序列中的每一個位來產生相對應的所述最低有效位、所述中間有效位以及所述最高有效位的步驟包含：

直接以所述虛擬亂碼位序列中的每一個位來作為相對應的所述最低有效位、所述中間有效位以及所述最高有效位。

5.如權利要求4所述的將數據寫入至閃存的方法，其特征在于，所述八個寫入電壓位準依序分別為第一電壓位準、第二電壓位準、第三電壓位準、第四電壓位準、第五電壓位準、第六電壓位準、第七電壓位準、第八電壓位準，所述第一電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,1,1)、所述第二電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,1,0)、所述第三電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,0,0)、所述第四電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,0,0)、所述第五電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,1,0)、所述第六電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,1,1)、所述第七電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(0,0,1)、所述第八電壓位準對應的最高有效位、中間有效位以及最低有效位分別為(1,0,1)，且所述兩個特定的電壓位準分別是第一電壓位準以及第四電壓位準。

6.如權利要求1所述的將數據寫入至閃存的方法，其特征在于，將所述虛擬亂碼位序列寫入至所述閃存的步驟是在晶圓階段進行。

7.如權利要求1所述的將數據寫入至閃存的方法，其特征在于，將所述虛擬亂碼位序列寫入至所述閃存的步驟是在封裝階段進行。