[發明專利]一種柵極側墻減薄工藝

有效

• 申請號: 201410174441.3
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN103928315B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 崇二敏;黃君;毛志彪
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/28
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種柵極側墻減薄工藝，其特征在于，包括：

步驟S01：在半導體襯底上依次形成柵極和僅位于柵極兩側的柵極側墻；

步驟S02：在所述半導體襯底上覆蓋一層抗反射層；

步驟S03：采用光刻和干法刻蝕工藝，圖案化所述抗反射層；圖案化后的所述抗反射層將柵極側墻頂部全部覆蓋住或覆蓋住柵極側墻頂部的第一部分；

步驟S04：僅以圖案化的所述抗反射層為掩膜，經干法刻蝕工藝，采用CH₂F₂和CHF₃的混合氣體，所述CH₂F₂與所述CHF₃的流量比例為1:1至4:1，使得對柵極側墻的刻蝕速率大于對抗反射層的刻蝕速率，從而減薄所述柵極側墻。

2.根據權利要求1所述的柵極側墻減薄工藝，其特征在于，所述步驟S03中，采用HBr和O₂的混合氣體作為刻蝕氣體。

3.根據權利要求2所述的柵極側墻減薄工藝，其特征在于，所述HBr與所述O₂的流量比例為1：1至15:2。

4.根據權利要求2所述的柵極側墻減薄工藝，其特征在于，所述HBr的流量為10-30sccm,所述O₂的流量為4-10sccm。

5.根據權利要求1所述的柵極側墻減薄工藝，其特征在于，所述步驟S03中，所采用的壓強為5-10mTorr，所采用的上電極功率為300-500瓦，反應時間為10-80秒。

6.根據權利要求1所述的柵極側墻減薄工藝，其特征在于，所述CH₂F₂的流量為60-120sccm，所述CHF₃的流量為30-60sccm。

7.根據權利要求1所述的柵極側墻減薄工藝，其特征在于，所述步驟S04中，所采用的壓強為20-40mTorr，所采用的上電極功率為500-800瓦，所采用的下電極電壓為0，反應時間為10-40秒。